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文章编号：1000-2375(2006)03-0260-03
分解GaP源固态分子束外延生长
InGaP／GaAs的结构和性能
吴 静，尚勋忠
(湖北大学物理学与电子技术学院，湖北武汉430062)
摘要：采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAB衬底成功制备了h1GaP外延薄膜．3μm厚的
InGaP外延层低温荧光峰位是1．998eV，半峰宽为5．26meV．双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近．霍尔测量
非 故 意掺 杂 InGaP外延 层 的室 温迁 移 率 同其他源或其他方法生长 的外延层结果类似 ．
关键词：分子束外延；InGaP／GaAs；x-Ray；光荧光；霍尔测量
中图分类号：O472 文献标志码：A
Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grownby solid- source
molecularbeamepitaxywithaGaPdecompositionsource
WUJing,SHANGXun-zhong
(SchoolofPhysicsandElectronicTechnology,HubeiUnivemity,Wuban430062,China)
Abstract:Lattice-matchedInGaPepilayersonGaAs(001)andweresuccessfullygrownbysolid-source
molecularbeamepitaxy(SSMBE)withaGaPdecompositionsource.A3tanthickInGaPepilayershowsthatlow
temperaturephotoluminescence(PL)peakenergyisaslargeas1.998eV,fullwidthathalfmaximum(FWHM)is
5.26meV,andX-mydiffraction(XRD)rockingcurvelinewidthisasnarrowasthatofGaAssubstrate.Theelec-
tronmobilitiesatroomtemperatureofnominallyundopedInGaPlayersobtainedbyHallmeasurementsarecompara-
bletosimilarInGaPepilayergrownbysolid-sourcemolecularbeamepitaxy(SSMBE)withothersourcesorother
growthtechniques.
Key words:molecularbeam epitaxy;InGaP/GaAs;X -Ray;photoluminescence;Hall
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