自旋电子学材料物理和器件设计原理的研究进展.pdfVIP

中国科学院物理研究所成立 80周年 自旋电子学材料 、物理和器件设计原理的研究进展 韩秀峰 (中国科学院物理研究所 磁学国家重点实验室 　北京 　100 190) ( ) ( ) ( ) 摘 　要 　　文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻 GMR 、隧穿磁电阻 TMR 、庞磁电阻 CMR 和反铁磁钉扎薄膜 材料以及单晶金属氧化物 、高自旋极化率材料 、PN 异质结和纳米环磁随机存储器原理型演示器件设计等研究方面取 得的一些重要研究成果和进展. 例如 :在 A lO 势垒磁性隧道结材料体系里 ,获得室温磁电阻超过 80%的国际最好结 果 ;获得两种高性能层状反铁磁钉扎材料体系 ;发现具有大的电致电阻效应的 CMR 薄膜材料 ,并可期望用于电流直 接进行磁信息写和读操作的磁存储介质 ;发现双势垒磁性隧道结中的量子阱态共振隧穿和磁电阻振荡效应 , 以及纳 米器件体系中自旋翻转长度的观测新方法 ,可用于新型 自旋电子学材料及相关器件的人工辅助设计 ;利用电子 自旋 共振谱探测和研究了金属氧化物的微观自旋结构和各向异性 ;在 [ CoFe / Pt ]n 磁性金属多层膜中 ,观测到超高灵敏度 的反常霍尔效应 ;利用纳米环状磁性隧道结作为存储单元 ,研制出一种新型纳米环磁随机存储器 MRAM 原理型演示 器件. 关键词 　　自旋电子学 , 巨磁电阻 ,隧穿磁电阻 ,庞磁电阻 ,磁随机存储器 , 自旋转移力矩 , 电子 自旋共振 Sp in tron ic ma ter ia ls , phy sics and dev ice design s HAN X iuFeng (S ta te Key L abora tory of M ag netism , Institu te of P hy sics, Ch inese A cadem y of S ciences, B eij ing 100 190, Ch ina) Ab stract　　R ecently, in the State Key L aboratory of M agnetism amorphou s A lO barrier based m agnetictunnel junction s (M TJ s) w ith ringshap ed structure s and a tunneling m agnetic re sonance ratio of 80% at room temp era tu re were m icrofabricated. H igh ordered FePt and antiferrom agnetic ( Cr Mn ) Pt th in film s w ith good therm al 25 25 50 stab ility and h igh coercivity were also synthe sized. L arge cu rrentinduced resistance effects in colo ssal m agnetic re sonance th in film s wa s ob served. A new m ethod was designed to ob serve sp in flip scattering