DC Plasma Jet CVD金刚石自支撑膜体结构的控制生长及其表面粗糙度的研究.pdf

第34卷第l期 人 工 晶 体 学 报 v。1．34N。．1 型i生兰旦 』Q堕坠些Q!坚塑!旦婴堡鱼坠翌垒坠 !!坠翌型!型三 DCPlasma Jet CVD金刚石自支撑膜体结构的 控制生长及其表面粗糙度的研究 周祖源，陈广超，周有良，吕反修，唐伟忠，李成明，宋建华，佟玉梅 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京100083) ， Plasm Jet 摘要：在100kw级Dc cVD设备上，采用Ar-H2-cH。混合气体，通过控制工艺参数，在Mo衬底上获得不 同占优晶面和应力状态的膜体结构。研究表明：不同取向的晶面在膜体中的分布不同，但各晶面随沉积温度的变 化规律是相似的，在900℃左右容易获得较大的(220)晶面占优的膜体结构；薄膜的内应力沿晶体生长方向逐渐减 小，且随沉积温度或甲烷浓度的增大而增大；具有高取向度的膜体将获得较为平整的表面。 关键词：自支撑CVD金刚石薄膜；晶面取向；内应力；表面粗糙度 中图分类号：0484 文献标识码：A and of Diamond ControllingDepositionRoughnessFree-standing Film DCPlasmaCVD Depositedby Jet F0n-戈iu， Z日0U屁-y蚴n，C日EⅣG眦愕-c九口o，Z日DUyoM一施愕，LU mⅣG耽：勘。增，Ⅱ醌已昭一m妇’，5D，vG肋忍一^Ⅱ口，mⅣG地一榭i 0fMaterialsScienceand ofscienceand (school En百neering，unive塔ityTechnologyBe巧ing，Be巧ing100083，china) (R∽删15却把批r2004) DC amixture filmswere 100kW method．Thefed were Abs”act：Di锄onddeposited jet by plasma gases of and substmtewasMo．Variousdiamondstmctures Ar，H2 CH4．The were．detectedbyRaman，X-ray di伍阻ctionand Itisfoundthatthereisa zonefor and Roughmeter． proper depositiontempemtureCH4 concentI甚tionto thefilmstIucture．Theorientationis the and optimize di珏色rent锄onggrowth，nucleation fhcturecross—sectionsudaces．Theratio the