GaAsAl_xGa_(1-x)As对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应.pdfVIP

2009年9月 内蒙古大学学报(自然科学版) Sept． 2009 第40卷第5期 ofInner V01．40No．5 Journal MongoliaUniversity 文章编号：looo一1638(2009)05—0562—07 激子结合能的压力效应。 朱俊，班士良 (内蒙古大学物理科学与技术学院，呼和浩特010021) 摘要：考虑三元混晶效应，采用变分法讨论GaAs／AI：Ga。一，As对称耦合双量子阱中激子结合 能的压力效应，并计算激子结合能随阱宽和中间垒宽的变化关系以及Al组分的影响．结果表 明，激子结合能随阱宽的增加先增加至极大，随后减小；随垒宽则先减小到极小，随后增加．结 合能随压力则近线性增加，且当阱宽较宽时，Al组分对结合能的影响不明显． 关键词：对称耦合双量子阱；激子结合能I压力效应 中图分类号：0471．3文献标识码：A 引 言 随着新实验现象n~33的发现和新型光电子器件如半导体级联激光器“’53等应用研究的发展，耦合 中激子基态结合能随阱宽的变化关系，但作者忽略了阱和垒中介电常数、电子(空穴)有效质量的不 虑激发态对基态的耦合，计算了激子的跃迁能和振子强度．而后，有人讨论了电磁场作用下耦合双量 子阱中直接间接激子之间的转变03和激子间的相互作用003． 在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使得能带结构、载流子有效质量、介电常数以及晶 格振动频率等都将改变．早些年，人们针对各向同性的GaAs等材料，研究其禁带宽度的压力系数Q¨， 进而了解载流子有效质量的压力关系C12)．有作者又通过实验对压力影响下半导体材料的介电常数n3’ 及晶格振动频率n们进行了研究．Ban等人则采用线性插值法和变分法计算了压力影响下理想GaAs／ 阱中激子结合能的压力效应n，并得出结合能随压力近似线性增加的结论．但有关耦合双量子阱中 激子结合能的压力效应还鲜有报道． 本文计及三元混晶效应，采用变分法讨论GaAs／A1；Ga，一，As对称耦合双量子阱中激子结合能的 压力效应，还将计算激子结合能随阱宽和中间垒宽的变化关系以及Al组分的影响．我们在计算中，还 考虑了更符合实际的阱和垒中介电常数及电子(空穴)有效质量的差别． 1 理论模型 ·收稿日期：2009—04—28 基金项目：高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(20070126001)；内蒙古自然科学基金重点项目 d02) 作者简介：朱俊(1983～)，男，四川达州人，2009级博士研究生． 万方数据 第5期 朱俊，班士良GaAs／AI，Ga卜：As对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应 563 分别设为厶和L。，取材料的生长方向为z轴，垒心为坐标原点．为简单起见，本文只对重空穴激子进行 计算，不考虑对称态和反对称态之间的耦合．在有效质量近似下，系统的哈密顿量为 日=H。+H^+H。一^， (1) 式中，2方向自由电子和空穴的哈密顿量可简写为 H，=一警毒(志丢)“阮，， (2) 其中，下标i=e，h分别表示电子和空穴，mu(z，)代表电子(或空穴)在z方向的有效质量，粒子的势垒 高度为 o，等12iIL。+等， 。 。 K(zi)一．《 ， ， (3) 『V“，12iJ