MOCVD生长GaN和GaNMg薄膜的对比研究.pdfVIP

第23卷第3期 红外与毫米波学报 V01．23，N。．3 Millim．Waves June，2004 2004年6月 J．Infhred ：： 文章编号：1001—901412004)03—0201—04 冯 倩1’2， 王峰祥2， 郝 跃2 (1．西安电子科技大学技术物理学院，陕西西安7l0071； 2．西安电子科技大学微电子研究所，陕西西安710071) 拉曼散射光谱的对比研究发现：两种样品均处于张力作用之下，但是GaN：Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引 入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度，致使薄膜质量变差；其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大，所以当 Mg替代Ga以后会引发压力应力，从而使薄膜张力减小，最后通过计算说明对于GaN：Mg样品而言，除了载流子以 外，薄膜质量同样也会对A。(LO)模式产生影响． 关键词：GaN：Mg；异质外延；x射线衍射；扫描电子显微镜；拉曼散射 文献标识码：A 中图分类号：TN304．23 oF CoMPARATIVEANALYSIS AND FILMSGROWNBYMoCVD oFGaN GaN：Mg FENG wANG HAoYue2 Qianl”， FeTig)【ian矿， ofTechnical (1．School Physics，XidianUniversity，Xi觚71007l，China； 2．ResearchInst．0f MicK．electmnics，XidiaIlUniversity，Xi，觚710071，China) and GaN were chemical onSiCsubst饱tes． Abstract：Mg—dopedundopedepilayersgrownbymetalorganicvapordeposition with introducemuchmorede· The arebothundertensile would samples stress，whileco瑚【paredund叩edGaN，Mgd叩ing fectsand disordersothatthe offilmbecaIneworse．0ntheother theradiu8of atomis ag铲avate quality haIId，for Mg larger thanthatof stresswasintroducedandtensioninfilmdecreasedwhen Ga． Ga，thecompressive MgsubstitutingFinally，we showastothe offilmwouldalsoinnuencethe besidesfreecarriers． GaN：Mgepilayer，thequality A1(L0)mode Ke