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SiSiGeSi双异质结晶体管(HBT)的负阻特性.pdf
第8 期 电 子 学 报 Voi .29 No . 8
年 月
2001 8 ACTA ELECTRONICA SINICA August 2001
双异质结晶体管（ ）的负阻特性
Si/ SiGe/ Si HBT
1 1 1 1 2 1 1 1 1 3
张万荣 ，李志国 ，王立新 ，汪 东 ，崔福现 ，孙英华 ，程尧海 ，陈建新 ，沈光地 ，罗晋生
（ 北京工业大学电子系，北京 ； 信息产业部电子第 研究所，河北石家庄 ；西安交通大学微电子研究所，陕西西安 ）
1. 100022 2 . 13 050051 3 710049
摘 要： 同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中，在高集电极———发射极电压、大电流下，由于热电正反
馈，容易发生热击穿，这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下，由于热电负反馈，重掺杂基区Si/
SiGe/ HBT 出现了负阻特性，并对这一现象进行了新的解释，认为这是由于大电流下耗散功率增加，基区俄歇复合导致
电流增益随温度增加而减小的结果. 这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力，证明Si/ SiGe/ HBT 适于
大功率应用.
关键词： SiGe/ Si 异质结双极晶体管；负阻；输出特性
中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）
TN322 .8 A 0372-2112 2001 08-1132-03
Negative Resistance Characteristics of Si/ Sige/ Si Double Heterojunction Bipolar Transistors
1 1 1 1 2 1
， ， ， ， ， ，
ZHANG Wan-rong LI Zhi-guo WANG Li-xin WANG Dong Cui Fu-xian SUN Ying-hua
1 1 1 3
， ， ，
CHENG Yao-hai CHEN Jian-xin SHEN Guang-di LUO Jin-sheng
（ ， ， ， ；
1. Depar
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