氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性.pdfVIP

文章编号：1001一973l(2001)06一0572一04 氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性。 袁宁一“2，李金华1，林成鲁2 (1．江苏石油化工学院功能材料实验室+江苏常州213016； 2．中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050) 摘要： 氧化钒薄膜噩其在微电子和光电子领域中的应用已 差异直接影响到氧化钒薄膜的器件应用。因此如何制各性能 成为国际上新颖功能材料研究的热点之一。本文综述了v：(k 好、成本低的氧化钒薄膜近来一直是研究的热点。本文在文献 和Voz薄膜屯学性能与薄膜组分和结构的相关性，比较了不同 工艺制备的氧化钒薄膜的电学性能差异。 与结构的关系，比较了不同工艺制备的氧化钒薄膜的性能差异。 关键词：氧化钒薄膜：相变；热电阻温度系数 2 VO：和V：O。的晶体结构与性质 4 中圉分类号：-IB43；()484 文献标识码：A 2．1二氧化钒(V()2) 1引言 在VO。的结构中，钒原子明显地与一个氧原子较为接近． 氧化钒具有v。(九、v()。等13种不同的相9’2J．其晶格结构 和空闻排列各不柑同．各种品体结构的电学性能差异很大。至 少有8种氧化钒具有从高温金属相到低温半导体相的转换特 性．其转换温度在一147～68℃。其中二氧化钒(v(、)因其转换 类似Mo()z的构型——畸变金红石型。 温度(68℃)在室温附近而最引人注目。虽然V()：单晶有优良 的电学性能(在转换温度68℃处，在0．1℃温度变化范围内．其金属原子所处的位置有所不同。在金红石型结构中，最近邻的 电阻率变化可达5个数量级”3)，但伴随着品相的转变出现的体 积变化对氧化钒体材料是个灾难o]，然而对于氧化钒薄膜却不 所共有。因此，它是一种n型半导体，而在畸变的金红石型结构 存在这个问题。氧化钒薄膜的应用已大大拓展了氧化钒体材料 的应用领域．并与半导体技术、微机械技术相结合在电子学、光 学方面开辟了许多崭新的应用领域。例如．温度传感器、气体分 子传感器、固态电池的阴极、电学和光学开关器件。近年来，电 致变色的研究越来越受到人们的重视．其在微小电压信号的作 轴方向上V()。不再具有金属的导电性。 用下。实现光密度连续可逆持久的变化．可应用于建筑、汽车、宇 2．2五氧化二钒fV205) 宙飞船等作为高能效“灵巧窗”，也可作为无视角变化、大对比度 五氧化二钒晶体具有层状结构，在这种结构中，钒所处的环 非辐射显示器，还可用作各种热发射渊节表面以及汽车等防旋 境最好被视为是一个畸变四方棱锥体．钒原子与五个氧原子形 光倒视反射镜等。目前在研究的旷w(k薄膜构戚的以“+为成五个钒一氧键，按钒一氧之间的结合方式不同，可将氧原子分 传导的固态电致变色器件时．缺少合适的锂离子储存材料．弱阴 极电致变色的U()s薄膜可能是最具有实用价值的候选锂离子 储存材料之一。氧化钒薄膜的另一个用途是在非致冷红外探测 wcll) 和红外成像技术上．例如90年代初期，霍尼威尔(Honcy 公司电光中心(EoC)的研究人员研制和讨论了一种新型红外焦 平面阵列一微测辐射热计uFPA，氧化钒电阻值随人射辐射引 起的温升而灵敏地改变，微测辐射热计正是利用这一特性进行 测量的．不需要调制器是它的优势n]。但如何进一步降低V()z 祭这样的链彼此以第五个氧原子通过另一氧柝连接成一条复 的转换温度，提高氧化钒的电阻温度系数却仍有待更深人的研 链，从而构成起皱的层状排列。若从另一层中引人第六个氧原 究。目前较多采用的薄膜制各方法主要有溅射-卜“]、蒸 发o”叫…、sol—gcl：2舯叫1、PI。D[卧唧、MOcvD[卅311方法等。不