IGBT的设计与仿真(张斌).pptVIP

共17页 IGBT的设计与仿真 学生:张斌 指导教师:韩雁教授 2009.1.14 主要内容 1.研究内容简介 2.设计指标 3.研究设计方案 4.工艺流程设计 5.主要工艺指标 6.器件仿真 7.主要器件指标仿真结果 8.结论及说明 1.研究内容简介 IGBT的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极晶体管，它是适应了功率半导体器件的发展而产生的,是一种新型的电力电子器件。 它具有输入阻抗高，通态压降低，速度快，热稳定性好，驱动电路简单，安全工作区宽，电流处理能力强等优点。 三重扩散晶体管的制作方法是指晶体管的集电区、基区、发射区皆由扩散方法获得，便称为三重扩散。现也指使用高温长时间扩散工艺获得结深很深的PN结的过程。 本课题从IGBT的工作原理出发，研究使用三重扩散技术进行高压IGBT生产的可行性,设计工艺流程，借助ISE-TCAD仿真工具进行IGBT器件结构和工艺研究。 2.设计指标 表1 参数设计值与测试条件 3.研究设计方案 本课题选用ISE-TCAD DIOS进行工艺仿真，选择合适可行的工艺方案，确定正面V