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PECVD氮化硅薄膜工艺参数研究
第 卷第 期 云南师范大学学报
３１ ５ Ｖｏｌ．３１Ｎｏ．５
年 月
２０１１ ９ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＹｕｎｎａｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔ Ｓｅ ｔ．２０１１
ｙ ｐ
ＰＥＣＶＤ氮化硅薄膜工艺参数研究＊
，
１２ １ １ ３ ３ ２
＊
张树明 ， 廖华 ， 何京鸿 ， 尹云坤 ， 胡俊涛 ， 罗群
（ ， ； ， ；
云南师范大学太阳能研究所 云南 昆明 昆明医学院 云南 昆明
１ ６５００９２２ ６５００３２
， ）
云南天达光伏科技股份有限公司 云南 昆明
３ ６５００９２
： ，
摘 要 根据太阳电池组件的结构和封装材料特性 设计出硅太阳电池片减反射薄膜的最佳厚度和折
， 。 ，
射率 利用泰勒公式进行优化 制备氮化硅薄膜的工艺参数 通过实验 找出适合中电 所工
ＰＥＣＶＤ ４８
业生产用管式 ＰＥＣＶＤ制备氮化硅薄膜的工艺参数。
： ； ；
关键词 ＰＥＣＶＤ氮化硅减反射膜 工艺参数 优化
中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）
ＴＫ５１３ Ａ １００７－９７９３２０１１０５－００２８－０５
一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合
［ ］
３
，
的技术 其技术原理是利用低温等离子体作能
引 言 ， ，
１ 量源 样品置于低气压下辉光放电的阴极上 然后
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