溶胶-凝胶法与射频磁控溅射法制备ZnO薄膜及其表征对比.pdf

50 材料工程／2004年11期 溶胶一凝胶法与射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜及其表征对比 CharacteristicofZnOThinFilm Comparison Preparedby Methodand Sol—gel R．F．MagnetronSputtering 任思雨，王英连，孙汪典，刘玉华(暨南大学物理系广州510632) REN Yu—hua Ying—lian，SUNWang—dian，LIU Si—yu，WANG of inan 510632，China) (DepartmentPhysics，JUniversity，Guangzhou 摘要：分别对溶胶一凝胶法和磁控溅射法制备ZnO进行了详细的介绍，并借助x射线衍射、原子力显微镜、拉曼光谱分 析、紫外吸收等检测手段对这两种方法生长的薄膜进行了分析比较。分析显示：相同石英基底，相同退火温度下生长 ZnO薄膜，磁控溅射法生长的ZnO薄膜要比溶胶一凝胶法生长的ZnO薄膜有更优异的C轴取向特性，生长的薄膜结晶 更加均匀、致密。 关键词：ZnO薄膜；溶胶一凝胶；磁控溅射 中图分类号：0484．4文献标识码：A 文章编号：1001—4381(2004)11-0050—03 thinfilmswere fabricated methodand Abstract：ZnO successfullybysol—gel R．F．MagnetronSputtering detailswere Diffractometer on substrates．The quartzglass preparing thoroughlyintroduced．X—ray Force (XRD)，Atomic Scattering Absorp— Microscope(AFM)，Raman tion(UV—Vis)wereusedtocarriedout studiesand oftheir results specific comparisonsspecialties．The show onsame atsame films that，coatedsubstrates，annealedtemperature，thepreparedbymagnetron showmuchmore c—axisorientationandexcellent thanthose sputtering prominent crystallinity prepared bysol—gel． words：ZnOthin Key film；sol—gel；R．F．magnetronsputtering ZnO是一种新型的宽禁带直接带隙半导体材料。 1 样品制备 高C轴取向的ZnO薄膜展示了良好的电学和光学性 1．1溶胶．凝胶法制备ZnO薄膜 质，其在声电和光电等设备中已经