4H-SiC光电晶体管的特性的研究.pdf

摘要 论文题目：4I-I-SiC光电晶体管的特性研究 学科专业：微电子学与固体电子学 研究生：史瑞 签名： 迭盏 指导教师：陈治明教授 签名： 卡萨碰 摘要 碳化硅(SiC)由于禁带较宽，对可见光和近红外光几乎没有吸收，因此一般只能用 来制作紫外光探测器。国内外关于SiC基紫外光探测器的报道主要有4H．SiC肖特基势垒 光电二极管，4H．SiC雪崩光电二极管，以及p．i．n光电二极管，而晶体管结构的紫外光电探 测器还未见有报道，本文设计了一个4H．SiC紫外光电晶体管，实现了在很强的可见及红 外背景下进行紫外探测。 为了实现将SiC基光电探测器探测信号的波长范围转至可见光至近红外波长范围，使 其能够用于光通信领域，或作为光电转换器件使用在大功率光控器件中，本文设计了一个 Si／4H．SiC异质结光电晶体管，讨论了异质结光电晶体管的结构并进行了特性分析。从理 论上推导了如何优化结构来改善其特性，并通过模拟进行了验证。实现了将SiC基光电探 测器的探测