电子束物理气相沉积法制备SiC薄膜及其性能的研究.pdf

电子束物理气相沉积法制各SiC薄膜及性能研究 摘要 Sic半导体材料因为具有带隙宽、热导率高、临界击穿电场高以及饱和载 流子漂移速度快等特点，因此在高温、高频、抗辐射和大功率等领域具有 广阔前景。电子束物理气相沉积(EB．PvD)是以电子束作为热源的一种真空 蒸发镀膜方法，即在高真空条件下，利用高能量密度的电子束轰击靶材表 面，使之熔化、蒸发并在基片上沉积形成薄膜。与其他薄膜制备技术相比， EB—PVD技术具有蒸发速率快和薄膜质量好等优势。 本文首先介绍了SiC薄膜的结构、理化性质和光电性质，并对sic薄 膜的研究历史及其应用现状进行了阐述，介绍了本论文的研究背景、研究 内容和研究意义；然后，论文详细介绍了物理气相沉积法(PVD)和化学气 相沉积法(CVD)制各薄膜的方法及新相形核、连续薄膜的形成、薄膜的生 长等三个薄膜的生长阶段；论文重点介绍了采用EB．PVD方法制备SiC薄 膜并对工艺参数进行了优化的过程。 薄膜；在相同膜厚情况下，退火温度越高，SiC薄膜结晶质量越好，薄膜 表面平均粗糙度越低；在相同退火条件下，薄膜厚度越厚，薄膜表面平均 粗糙度越低；在SiC薄膜上施加相同的电压时，紫外光条件下所测的电流 最大，白光次之，黑室电流最小；在相同条件下，薄膜越厚，激发电流越 大。 关键词：SiC薄膜；电子束物理气相沉积；原子力显微镜；扫描电子显微镜； X射线衍射 and ofSiCThin PreparationsProperties Films EB—PVD Depositedby ABSTRACT Silicon a ofthe carbide(SiC)istypicalrepresentative semiconductor materialsaRer andGaAs．SiCsemiconductormaterials Ge，Si exhibit likewideband thermal manyoutstandingproperties， gap，high criticalbreakdownelectricfieldandthef．astdrif．t conductivity，high velocity saturation．Ithasbeen inthefieldof widelyapplication high electronbeam 丘equency，anti—radiation，highpower’etc．The physicalvapor aVacuum methodoftheelectron deposition(EB—PVD)iseVaporationcoating beamasaheatsource．In electronbeamof hi曲Vacuumconditions，the hi曲 bombardthesurflaceof its and energydensity target， onthesubstratetoformthin