脉冲激光沉积制备YBCO薄膜%3a激光诱生大颗粒的消除以及c轴择优外延生长及研究.pdfVIP

脉冲激光沉积制备YBCO薄膜：激光诱生大颗粒的消除以及c轴择优外延生长研究 中文摘要 脉冲激光沉积制备YBCO薄膜：激光诱生大颗粒的消除 以及c轴择优外延生长研究 中文摘要 近实用化的一种高温超导材料。有鉴于此，高质量的YBCO薄膜的制备技术和性能研 究非常重要：一方面，可以用于基础物理和性能的研究，如超导机理和磁通钉扎等性 能的探索；另一方面，可以制成各种功能独特的超导元器件，如约瑟大逊结和隧道结 以及微波器件等。 然而，制备高质量的YBCO薄膜仍然面临一些技术挑战，特别是对于脉冲激光沉 积技术(PLD)外延生长YBCO超导薄膜存在以下两个难题：一、PLD特有的诱生大 颗粒难以消除，从而造成薄膜粗糙、超导性能下降等，特别是超导微纳器件中大颗粒 的存在会严重降低其性能；二、YBCO薄膜在各类单晶基片上择优取向难以精确控制， 也会影响薄膜的电流传输特性。针对这两个难题，我们开展了以下的研究工作。 第一，消除PLD技术制备YBCO薄膜普遍存在的大颗粒现象。首先，通过大量 的实验，总结出薄膜中大颗粒的产生规律。在此基础之上，我们发展了一种网格掩模 技术，即在靶材和基片问插入一个合适的网格掩模，通过网格的尺寸和位置的调整， 找到最佳的工艺参数，从而达到消除YBCO薄膜中从靶材溅射出来的大颗粒的现象。 我们通过XRD、SEM、AFM等测量技术观察薄膜形貌。结果表明：该方法制备的 YBCO薄膜与传统制备出来的薄膜的成相基本一致，其中网格有效地阻挡了从靶材中 喷发的液滴(1aser-induced 几乎观察不到大的颗粒，平整性也有很大的提高。 第二，不同单晶基片上外延生长C轴择优YBCO薄膜的技术及机制。首先，采 优化、过渡层的使用(主要在Si基片上)在三种基片上成功地制备出c轴择优的YBCO 薄膜。然后，通过XRD测量技术对薄膜样品的品体取向、微结构进行详细的表征， 中文摘要 脉冲激光沉积制备YBCO薄膜：激光诱生大颗粒的消除以及C轴择优外延生长研究 并结合其超导性能的测量，阐明性能与微结构之间的内在联系，并利用晶格匹配理论 和界面能理论解释了薄膜的外延生长机制。 关键词：YBCO薄膜；脉冲激光沉积；激光诱生大颗粒；网格掩模；c轴择优取向 作 者：范俊 指导教师：佟富强 n 脉冲激光沉积制备YBCO薄膜：激光诱生大颗粒的消除以及C轴择优外延生长研究 英文摘要 The ofc—axisoriented epitaxialgrowth YBa2Cu307．6 films laser andtheeliminationof bypulseddeposition la,,!r-induceduce ni-resalselcitrapoartlcles Abstract The filmsare materialsforvariouselectronic YBaECU30 key 7一占(YBCO)thin as SOon．After devices，and Josephsonjunctions，SQUID，microwave applications，such decadesof