最简荷控型忆阻器混沌电路的设计及实现.pdfVIP

第３２卷 第４期 计　 　 算　 　 物　 　 理 Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．４ ２０１５年７月 　 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＣＯＭＰＵＴＡＴＩＯＮＡＬ ＰＨＹＳＩＣＳ　 Ｊｕｌ． ，２０１５ 文章编号：１００１⁃２４６Ｘ（２０１５）０４⁃０４９６⁃０９ 最简荷控型忆阻器混沌电路的设计及实现 １ １ ２ １ 谭志平 ，　 杨红姣 ，　 刘奇能 ，　 曾以成 （１．湘潭大学物理与光电工程学院，湖南 湘潭　 ４１１１０５；２．湘潭大学信息工程学院，湖南 湘潭　 ４１１１０５） 摘　 要：利用惠普荷控型忆阻器、电感、电容和负电导串联设计了一类单回路忆阻器混沌电路．采用常规的动力学 分析方法研究系统的基本动力学特性，如平衡点稳定性分析、李雅普诺夫指数谱和分岔图等．数值仿真表明该系统 在一个平衡点的情况下产生一类特殊的单涡卷混沌吸引子，且随系统参数的改变产生丰富复杂的混沌行为．为验 证电路的正确性，利用Ｐｓｐｉｃｅ进行相应电路仿真，仿真结果与理论分析、数值计算基本一致． 关键词：忆阻器；混沌；串联 中图分类号：Ｏ４１５５，Ｏ５４５ 文献标志码：Ａ ０　 引言 自２００８年５月美国惠普实验室成功实现忆阻器 （ｍｅｍｒｉｓｔｏｒ） 以来，忆阻器在非易失性存储器、电路设计 和人工神经网络等领域得到了广泛的应用［１－３］．由于忆阻器是一个体积小、功耗低，且具有记忆功能的非线 ［４－６］ 性电路元件，因此，采用忆阻器设计混沌系统得到了众多学者的广泛关注 ． 目前，采用不同忆阻器模型实 现混沌电路主要有两种方式：①采用分段线性（ＰＷＬ）函数模型［７－９］ ，如在文献［７］中，李志军等人采用分段 线性模型的忆阻器实现了标准及类蔡氏混沌电路，在一定的参数条件下这些电路可以产生不同的混沌吸引 子；②采用光滑函数模型［１０－１１］ ，包伯成等人利用光滑模型的磁控忆阻器实现了一系列新的蔡氏混沌电 路［１２－１３］．然而这两类忆阻器混沌电路的设计都存在一定局限性，首先，电路设计方面这两类电路主要是围绕 蔡氏电路进行的设计，电路结构比较复杂，硬件实现比较困难；其次采用的分段线性函数和光滑函数描述的 忆阻器与惠普实物模型有一定差异．因此采用惠普模型忆阻器，设计电路结构简单的混沌电路成为研究的新 方向，２０１２年Ｂｕｓｃａｒｉｎｏ等人根据惠普忆阻器实物模型设计了一类新型忆阻器混沌电路［１４－１５］ ，但是所设计 ［１６］ 的混沌电路只进行了数值仿真．同年，Ｃｈｕａ 利用数学模型化的惠普磁控忆阻器设计并实现了只有三个电 路元件的忆阻器混沌电路，但是文章没有给出相应的动力学理论分析，而且没有对只含三个电路元件的惠普 荷控型忆阻器混沌电路进行探讨，因此研究只含三个电路元件的惠普荷控型忆阻器混沌电路具有一定实际 意义． 本文首先分析惠普荷控型忆阻器实物模型，得出相应的荷控型忆阻器数学模型，然后利用荷控型忆 阻器设计一个最简串联型忆阻器混沌电路，并对电路进行相应的动力学分析，最后用Ｐｓｐｉｃｅ进行电路仿 真验证． １　 ＨＰ忆阻器模型 ［１７］ ＨＰＴｉＯ 忆阻器 模型结构如图１所示，忆阻器由Ａ（掺杂部分ＴｉＯ ）和Ｂ（非掺杂部分ＴｉＯ ）组成，因此 ２ ２ ２ 整个忆阻器可以看作是两个互相耦合的可变电阻构．成设Ｒ 和Ｒ 分别对应为忆阻器未掺杂时的最大电 ＯＦＦ ＯＮ 阻值和全部掺杂时的最小电阻值，同时用Ｄ表示忆阻器的总长度，ｗ 表示忆阻器掺杂部分随时间变化的长 度，从而忆阻器的忆阻值可以表示为 ｗ（ｔ） ｗ（ｔ）