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　第 19 卷第 5 期 . 19, . 5 〗 半　导　体　学　报 V o l N o 1998 年 5 月 , 1998 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 硅发光研究 夏建白 中国科学院半导体研究所　北京　100083 摘要　硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的. 本文介绍了目前已有的使硅发 光的方法: 掺深能级杂质, 掺稀土离子, 多孔硅, 纳米硅以及 超晶格, 讨论了两种可能 Si SiO 2 的发光机制: 量子限制效应和表面复合效应. 最后介绍了两个硅发光器件, 表明硅发光器件的 前景是光明的. PACC: 8160, 7855, 7840 1　引言 硅是微电子器件的主要材料, 它具有其它半导体材料无可比拟的优越性. 但是硅又是一种间接带隙的 半导体, 它的发光效率极低, 不能制造发光器件, 如激光器、发光管等. 几十年来, 人们一直在探索能在一块 硅片上集成微电子器件和发光器件的途径, 也就是光电子集成. 如果这一技术得以成功, 无疑将对显示、通 讯、计算机以及其它许多有关的技术产生深远的影响. 例如: 器件之间的互联造成的时间弛后已成为发展 超大规模集成电路的瓶颈, 如果能用光互联代替目前所采用的电互联, 则将大大改善集成电路的性能, 提 高计算机的速度. 2　硅体材料的发光性质 硅的导带底不在布里渊区的中心 点 , 而是在 001 方向轴上 0 85 2 处, 所以一共有 6 个等价 a 的导带极小. 当电子从价带被激发至导带时, 通过与晶格相互作用, 放出声子, 弛豫至导带. 由于价带顶在 点, 它的波矢为零, 电子不能直接由导带底跃迁至价带顶, 发出光子. 它只能通过同时发射或者吸收一个 声子, 间接跃迁至价带顶. 这种间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多. 与跃迁几率有关的一个物理量 是辐射寿命 , 也就是电子在导带底的平均停留时间, 与跃迁几率成反比. 对直接跃迁, 如 , 为 GaA s r r r - 9 - 3 10 秒, 也就是纳秒量级. 而对间接跃迁, 为 10 秒, 也就是毫秒量级. 电子还有可能通过非辐射途径跃 r 迁至价带顶, 如: 俄歇过程, 通过杂质、缺陷中心的多声子无辐射跃迁过程等, 因此还有一个非辐射寿命 . n r 1 1 1 实际的寿命 + . 辐射效率表示为: r n r 1 1 + r n r 如果 , 则 ～ 0; , ～ 1. 由于硅的本征发光强度很低, 因此长期以来人们通过各种途径寻找提高 r n r r n r 硅发光强度和效率的方法. 夏建白　男, 1939 年出生, 研究员, 当前从事专业: 凝聚态、半导体微结构理论 1座机电话号码 收到, 1座机电话号码 定稿 322 半　导　体　学　报 19 卷 3　掺深能级杂质 在间接带隙半导体 GaP 中掺等电子杂质N , 能得到很强的发光, 已被工业上利用制造绿色发光管. 这 是由于等电子杂质在晶体中产生短程微扰势, 它在禁带中产生杂质态, 杂质态波函数在空间是局域的, 因 而在 K 空间中是扩展的. 虽然导带底不在 点, 但是杂质态波函数包含了很大 K 0 分量. 电子通过杂质 态跃迁至价带顶, 就有较大的跃迁几率. 在 Si 中同样也发现掺硫的硅, 包含了两个发光中心, S A 和S B , 它 们的发光峰分别位于 0 968 1 28 1 53 [1 ] eV m 和 0 812eV m , 内量子效率 2%～ 5% . 这是 in t - 5 由于它的辐射寿命较短, ～ 10 s, 而非辐射寿命 较长. 在等电子杂质上的束缚激子只包含电子和空穴 r n r 两个粒子, 没有第三个粒子. 当电子、空穴复合时, 不产生 非辐射的俄歇过程, 只有辐射过程. 4　掺稀土离子 硅 中掺稀土离子 E r 能发射能量在 0 8eV [2 ] 3+ 154m 附近尖锐的发光峰, 如图 1 所示 . E r 离子的 4f11 电子组成了很局域的内壳层, 与 Si 中的电子几乎没有 相互作用. 在 1 54 尖锐的荧光线是由 4 电子的内 m f 部态 I 132 →I 152 跃迁产生的. 图 1 中的多峰结构代表了 4f 电子态在硅晶格场中的分裂. 通常发光的掺 E r 硅都是富 含氧的, 氧在硅中与 E r 一起形成了一个复合体, 在禁带中 产生了一个施主能级E c 0 16eV. 虽然这个态的波函数与 f 图 1　掺 E r 硅的荧光谱 电子波函数重叠很小,