铜电极表面硅烷膜的自组装及其性能研究.pdfVIP

第 11卷 　第 2期 电化学 Vol. 11　No. 2 2005年 5月 EL ECTROCH EM ISTRY M ay 2005 文章编号 : 1006347 1 2005 02 0 18805 铜电极表面硅烷膜的自组装及其性能研究 黄 　令 ,林克发 ,杨防祖 ,许书楷 ,周绍民 厦门大学化学系 , 福建 厦门 361005 应用自组装技术在铜电极表面上制备 3巯基丙基三甲氧基硅烷 自组装膜. 红外光谱研究该 自组装 摘要 : 膜结构 , 电化学方法考察 3巯基丙基三甲氧基硅烷膜在 5%N aCl溶液中对铜电极的缓蚀性能. 结果表明 ,于不 同浓度的 3巯基丙基三甲氧基硅烷乙醇溶液中自组装的硅烷膜表现出较好的抗腐蚀性. 关键词 : 　3巯基丙基三甲氧基硅烷 ; 自组装 ;耐蚀性 ;缓蚀效率 TG174. 1 A 中图分类号 : 文献标识码 : 自组装技术在金属腐蚀和防护方面具有潜在 膜 SAM s 的性能与金属表面 的前处理也有关 的应用前景 ,有机硅烷衍生物在羟基化表面形成的 系 [ 6 ] . 本文使用经电化学抛光后的铜电极 ,于其表 自组装单分子膜是自组装膜重要的一类. 它是基于 面制备 3巯基丙基三 甲氧基硅烷膜 ,分别应用红 有机硅烷化合物与基底表面羟基的结合 ,并伴随着 外发射光谱和扫描电子显微镜研究该膜的表面结 横向 SiO Si 的交联而形成一层较厚的膜或隔离 构 , 电化学方法测定 M PTS膜 / Cu 电极在 5% N aC l 层 ,这对金属的腐蚀能够起到十分 良好的缓蚀作 中的耐腐蚀性能. 用 [ 1, 2 ] . K. A ram k i 等 [ 3 ] 在 铜 电极 表 面 制 备 了 1　实验部分 HO CH2 11 SH自组装膜并利用三氯硅烷与 自组装 1. 1　试剂和溶液 膜表面的羟基发生反应得到烷基硅氧烷膜. 当它水 解时 , 由于分子间发生交联 ,减少了膜的缺陷 ,并同 3巯基丙基三 甲氧基硅烷 、无水乙醇 、氯化钠 时增加膜的厚度 ,从而提高了膜的抗腐蚀性能. G. 均为分析纯. 用二次蒸馏水分别配制浓度各为 K. Jenn ings等 [ 4 ]研究硫醇分子链长对铜抗蚀性能 50mmo l/L、25 mmo l/L、5 mmo l/L、0. 5 mmo l/L、 的影响 ,发现增加吸附分子的链长可使铜表面的氧 0. 05 mmo l/L 的 3巯基丙基三 甲氧基硅烷乙醇溶 化速率减缦. Yananoto等 [ 5 ]研究了硫醇分子与铜表 液和 5%N aC l溶液. 面的成键行为 ,发现烷基硫醇通过 S与基底 Cu 原 1. 2 M PTS 自组装膜电极的制备 2 子成键 ,化学吸附在铜表面 ,形成一层紧密排列的 铜电极 纯度 99. 9% 以上 ,工作面积 1 cm , # # 疏水单层膜 ,从而表现出良好的耐蚀性. 其余部分用环氧树脂密封制成. 测量前先经 1 、4 、 # 6 金相砂纸逐级打磨抛光 ,然后用丙酮 、无水乙醇 3巯基丙基三甲氧基硅烷 CH O SiCH 3 3 2 3 除油 ,经电化学抛光后再用去离子水和无水乙醇冲 SH M PTS 的一端具有硫醇结构而另外一端为疏 水性的甲氧基. Z. M ekhalif等 [ 2 ]研究了 3巯基丙基 洗干净. 立即放入不同浓度的 3巯基丙基三 甲氧 三甲氧基硅烷在铜表面自组装膜的表面结构 ,认为 基硅烷乙醇溶液中组装 ,组装时间为 0. 5 h 至 24 3巯基丙基三甲氧基硅烷是通过 S与基底 Cu 原子 h ,得自组装硅烷膜电极. 因组装后的铜电极表面也 成键 ,并有效地提高了金属铜的抗腐蚀性. 由于巯 还存在物理吸附的巯烃基硅烷分子 ,须用大量无水 基能在金属铜表面上形成致密 、稳定的单分子自组 乙醇冲洗除去. 装膜 SAM s ,故可视为一种高效的缓蚀剂. 自组装 收稿 日期 : 座机电话号码,修订日期 :座机电话号码 1, 通讯联系人 , Tel: 86592 2 181436, Em ail: huangl@j ingxian. xm u. edu. cn 福建省自然科学基金 E02 10003 资助 第 2 期 黄 　令等 :铜电极表面硅烷膜的自组装及其性能研究 ·189 · 1. 3　线性极化和塔菲尔极化曲线测量 对较低 ,形成的膜结构可能不完整 ,有一定缺陷 ,因 线性极化曲线测试使用 CH I660A 电化学工作 而在 电位扫描过程 中 , 还会产生阳极腐蚀 电流. M PTS浓度达到 25 mmo l/L 和 50 mmo l/L 时 ,形成 站. 三电极体系 ,研究电极为铜