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改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理
半导体学报 V01．27
第27卷增刊 Supplement
CHINESE OF
2006年12月 JOURNALSEMICoNDUCToRS Dec．。2006
改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理
张 苗1’+ 狄增峰1 刘卫丽1 骆苏华1 宋志棠1 朱剑豪2 林成鲁1
(1中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心，信息功能材料国家重点实验室，上海200050)
(2香港城市大学，香港)
材料．实验结果表明：顶层的si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失，退火过程有助于Ge元素在SiGe
层中的均匀分布，同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集．在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释
放，几乎没有引入位错．
关键词：SiGe—ON．insulator；氧化；扩散
PACC：7340T；8160；6630J
中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2006)so．0252—05
1 引言 在完整sio：层形成之前，Ge易于形成挥发性的
GeO而损失．
随着器件尺寸进入深亚微米领域，应变Si以其 本文对原有的Ge浓缩工艺进行改进，在SOI
较高的电子和空穴迁移率为新型高性能器件开发提 上外延一层SiGe，再在其上外延si盖帽层，最后对
silicon．Oil—insu．
供了广阔的空间E1,2]．利用strained 三明治结构si／SiGe／si进行氧化，如图1所示．额
1ator(SSOI)技术制备的MOSFET结合了应变si
外的si盖帽层保证了在氧化初期Si量大大超过氧
技术和SOI技术，所以一直被认为是具有希望的高 气，而且可以在siGe氧化之前形成完整的sio：层，
速器件结构．SiGe材料由于具有较大的晶格常数避免了Ge通过上述两种途径损失．
(相对Si)，而且与传统半导体工艺相兼容，所以被认
为是最适合应变si材料生长的衬底．弛豫的siGe．
2 实验
on—insulator(SGOI)结合了应变Si和soI两方面
的优势，在实现高性能MODFET和MOSFET器件
方面引起了广泛的关注∞“]． 实验中首先采用超高真空化学气相沉积(UH．
SGOI材料可以通过注氧隔离(SIMOX)、智能VCVD)方法在超薄SoI(顶层Si30nm)衬底上，
剥离(Smart—cut)和键合背刻蚀(BESOI)等技术来
lOOnm
制备。但这三种主要方法制备的SGOI材料均需一 Sio18Geo．82层n0I，然后继续生长20nm的纯
层厚递变Ge组分的应力释放层，很难满足当前最 Si盖帽层，得到20nmSi／100nmSiGe／30nmSi结
小特征长度缩小的要求．Yin等人r51在SGOI制备构．该结构在氧气氛中，1150℃下，氧化1h．在氧化
过程中引入硼磷硅玻璃(BPSG)作为“容忍衬底”来
过程中，由于si更易与氧气结合生成Sio。，所以Ge
释放SiGe层中的应力，但该技术很难与当今主流的原子将不会被氧化，而是被生成的Sio。挤压出来向
半导体工艺兼容．最近，Tezuka等人口’71提出了一SoI的顶层Si中扩散，在SoI的埋层氧化物上方形
种利用氧化SOI的SiGe层进行Ge浓缩，从而得到
高质量SGOI技术．
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