A2CoNbO6(A%3dCa%2cBa%2cSr)巨介电行为及与载流子输运状态的关系.pdf

摘要 摘 要 高介电材料是信息存储器件大容量和微型化的基石，因而成为当今信息社 会的迫切需求之一。传统的高介电材料是以BaTi03为代表的铁电体和以 友好元素，而且其高介电性能温度稳定性差，不适合技术应用。本世纪初在以 CaCu3Ti4012为代表的复合钙钛矿材料中发现在室温附近较宽的温度和频率范 围内能平稳地保持一个巨大的介电常数(104~105)，这种特性被称为巨介电行为。 由于巨介电特性正是技术应用所梦寐以求的，因而，引起了人们对这一介电行 为的广泛重视。最近，在双钙钛矿结构材料系统中也发现了的巨介电行为，除 了巨介电性能外，双钙钛矿陶瓷材料还表现出优良的电学和磁学等性能，这使 得双钙钛矿结构材料迅速成为介电研究的重点材料之一。 由单一的介电弛豫过程构成，而是由多个弛豫过程构成的；由于Co元素易挥 发性，Co基双钙钛矿结构材料中Co空位和氧(O)空位并存，样品的巨介电性能 取决于空穴(由Co空位产生)和电子(由O空位产生)的相互竞争。具体研 究结果表述如下： K)介电性能 A．样品的低温(90～330 度区介电弛豫是由于空穴自陷引起的极化子弛豫，高温度区介电弛豫是由于O 且低温度区和高温度区弛豫对巨介电效应的贡献分别为3／4和1／4。 CaECoNb06(CCNO)样品表现出两个热激活弛豫过程，低温度段和高温度段 介电弛豫激活能分别为0．13eV和0．37eV：低温度段介电弛豫被证实是由空穴 跳跃引起的极化效应，高温度段介电弛豫起源于O空位和Co空位形成的缺陷 偶极子极化。 区，载流子(空穴)处于冻结状态，对电导的贡献比较微弱，因而表现出近常数 损耗(NCL)现象，同时冻结载流子产生类铁电极化，引起低温MW弛豫。当温 T AzCoNbOdA=Ca,Ba,Sr)巨介电行为及其与载流子输运状态的关系 度升高到足够高时，载流子可以在不同的束缚位之间跳跃，表现普适介电响应 (UDR)规律，且伴随着极化子弛豫发生。在接近室温的高温区，载流子长程输 运对电导有较大的贡献，同时载流子跳跃运动会受到各种界面的阻挡并在此积 累引起界面弛豫，即室温附近MW弛豫。 K)介电性能 B．样品的高温(330～550 和一介电反常现象。较低温度的介电弛豫是O空位跳跃受到接触势垒阻挡引起 的MW弛豫；较高温度的介电弛豫是O空位一次电离引起的；介电反常现象是 由于高温区域载流子处于自由状态，因而引起巨大的电导响应，介电行为从由 弛豫为主要贡献的区域转变成电导为主要贡献的区域，且自由载流子引起负电 容现象，从而导致介电反常现象。 关键词：巨介电常数，载流子，Co基陶瓷材料，介电弛豫 II A2CoNb06(A=Ca,Ba,sO巨介电行为及其与载流子输运状态的关系 the a high-temperature relaxation(HTR)is causedthe relaxationshavecontributionstothe by grain-boundaryresponse．Both observed the CDCbehaviorwimLTRandHTR ca．3／4and1／4tothe contributing behavior，respectively． Two activateddielectricrelaxationswere in observed thermally Ca2Co]峒006 theactivationaroundO．13eVforthe (CCNO)谢tll