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摘要
摘 要
高介电材料是信息存储器件大容量和微型化的基石,因而成为当今信息社
会的迫切需求之一。传统的高介电材料是以BaTi03为代表的铁电体和以
友好元素,而且其高介电性能温度稳定性差,不适合技术应用。本世纪初在以
CaCu3Ti4012为代表的复合钙钛矿材料中发现在室温附近较宽的温度和频率范
围内能平稳地保持一个巨大的介电常数(104~105),这种特性被称为巨介电行为。
由于巨介电特性正是技术应用所梦寐以求的,因而,引起了人们对这一介电行
为的广泛重视。最近,在双钙钛矿结构材料系统中也发现了的巨介电行为,除
了巨介电性能外,双钙钛矿陶瓷材料还表现出优良的电学和磁学等性能,这使
得双钙钛矿结构材料迅速成为介电研究的重点材料之一。
由单一的介电弛豫过程构成,而是由多个弛豫过程构成的;由于Co元素易挥
发性,Co基双钙钛矿结构材料中Co空位和氧(O)空位并存,样品的巨介电性能
取决于空穴(由Co空位产生)和电子(由O空位产生)的相互竞争。具体研
究结果表述如下:
K)介电性能
A.样品的低温(90~330
度区介电弛豫是由于空穴自陷引起的极化子弛豫,高温度区介电弛豫是由于O
且低温度区和高温度区弛豫对巨介电效应的贡献分别为3/4和1/4。
CaECoNb06(CCNO)样品表现出两个热激活弛豫过程,低温度段和高温度段
介电弛豫激活能分别为0.13eV和0.37eV:低温度段介电弛豫被证实是由空穴
跳跃引起的极化效应,高温度段介电弛豫起源于O空位和Co空位形成的缺陷
偶极子极化。
区,载流子(空穴)处于冻结状态,对电导的贡献比较微弱,因而表现出近常数
损耗(NCL)现象,同时冻结载流子产生类铁电极化,引起低温MW弛豫。当温
T
AzCoNbOdA=Ca,Ba,Sr)巨介电行为及其与载流子输运状态的关系
度升高到足够高时,载流子可以在不同的束缚位之间跳跃,表现普适介电响应
(UDR)规律,且伴随着极化子弛豫发生。在接近室温的高温区,载流子长程输
运对电导有较大的贡献,同时载流子跳跃运动会受到各种界面的阻挡并在此积
累引起界面弛豫,即室温附近MW弛豫。
K)介电性能
B.样品的高温(330~550
和一介电反常现象。较低温度的介电弛豫是O空位跳跃受到接触势垒阻挡引起
的MW弛豫;较高温度的介电弛豫是O空位一次电离引起的;介电反常现象是
由于高温区域载流子处于自由状态,因而引起巨大的电导响应,介电行为从由
弛豫为主要贡献的区域转变成电导为主要贡献的区域,且自由载流子引起负电
容现象,从而导致介电反常现象。
关键词:巨介电常数,载流子,Co基陶瓷材料,介电弛豫
II
A2CoNb06(A=Ca,Ba,sO巨介电行为及其与载流子输运状态的关系
the a
high-temperature
relaxation(HTR)is
causedthe relaxationshavecontributionstothe
by grain-boundaryresponse.Both
observed the
CDCbehaviorwimLTRandHTR ca.3/4and1/4tothe
contributing
behavior,respectively.
Two activateddielectricrelaxationswere in
observed
thermally Ca2Co]峒006
theactivationaroundO.13eVforthe
(CCNO)谢tll
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