静态随机访问存储器数据残留的安全策略探究.pdf

摘 要 静态随机访问存储器 （SRAM，Static Random Access Memory）是一种无需刷新、 以随机顺序来读写存储单元的半导体存储器。由于其高速、低功耗的特点，SRAM 被 广泛地应用于高性能微处理器和各类消费电子产品中。通常认为，SRAM 属于易失性 半导体存储器。当电源移开时，存储器中数据表征的信息会随之消失。然而近年来， 关于掉电后SRAM 中存在数据残留的事实被不断地报道和探究，而且使用特殊方式可 以将残留的数据恢复或者读取出来。在实际应用中，这给SRAM 及其系统的安全性构 成一定威胁。本论文将全面深入地论述SRAM 中数据残留的安全策略设计与实现。 首先，论述了各种具有代表性的针对SRAM 进行的物理攻击方法，研究了各自的 攻击原理。接着，基于半导体物理与器件理论和实验数据，给出了SRAM 中数据残留 的物理解释，以此为安全策略的设计提供理论基础。 其次，对基于清零和改写两种安全策略的SRAM 体系结构，片上能量获取、存储、 转换系统，以及低压、高效率电荷泵升压电路等的核心关键技术进行了研究与设计。 针对掉电后SRAM 中数据残留采用的不同安全策略需要不同的系统架构和功能模块， 本论文对应用各类安全策略的 SRAM 结构及其中的