闪锌矿lnGaN%2fGaN低维量子结构中电子和光学性质.pdfVIP

摘要 在有效质量近似下，本文采用类氢型的试探波函数，运用变分法系统地研究了外电 场对闪锌矿InGaN／GaN耦合多量子阱中的类氢杂质态的影响。在计算过程中，我们考虑 了多量子阱阱宽、势垒层厚度、杂质位置以及外电场强度对施主杂质束缚能的影响。对 所得数值结果进行详细的分析和讨论之后，得到如下结论：随着量子阱阱宽的增大，位 于多量子阱左阱中心处的杂质其杂质束缚能随着量子阱的增大有一个最大值；而位于多 量子阱的中间阱和右阱中的杂质其杂质束缚能随着阱宽的增大单调减小；随着势垒层厚 度的增大，由于外电场的影响，位于多量子阱左阱中心处的杂质其杂质束缚能先增大后 趋于不变：当外电场足够强时，位于多量子阱各阱中心处的杂质其杂质束缚能将不会随 着外电场的增大而变化；当量子阱逐渐增大时，位于多量子阱左阱中心处的杂质其杂质 束缚能随着外电场的变化有一个最大值。而且，最大束缚能相对应的临界电场会随着量 子阱阱宽的增大而逐渐减小。 为了研究外电场对闪锌矿InGaN／GaN单量子点中激子及相关光学性质的影响，本文 在有效质量近似下，采用高斯型的试探波函数，运用变分法详细计算了量子点点高、量 子受限势、外电场强度对量子点中的基态激子束缚能、带问跃迁能量、基态振子强度和 线性光极化率的影响。主要结论如下