《《第三章_薄膜的物理气相沉积(Ⅰ)-蒸发法》》.ppt

真空蒸发 一、真空蒸发沉积的物理原理 在真空环境下，给待蒸发物质提供足够的热量以获得蒸发所必须的蒸汽压，在适当的温度下，蒸发粒子在基片上凝结形成薄膜。 真空蒸发就是利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸汽压进行薄膜制备。 二、真空蒸发的设备 真空蒸发设备示意图如下图所示 二、真空蒸发的设备 真空蒸发设备主要由三部分组成： 1. 真空系统：为蒸发过程提供真空环境 2. 蒸发系统：放置蒸发源的装置，以及加热和测 温装置 3. 基板及加热系统：该系统是用来放置硅片或其 它衬底，对衬底加热及测温装置 二、真空蒸发的设备 真空蒸发制备薄膜的三个基本过程: 1.加热蒸发过程：对蒸发源加热，使其温度接近或达到蒸发材料的熔点，蒸发源材料由凝聚相转变成气相 2.气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运过程。在这一过程中，原子或分子与真空室内的残余气体分子碰撞 3.被蒸发的原子或分子在衬底表面的沉积过程。原子或分子到达基片后凝结、成核、生长、成膜 三、汽化热和蒸汽压 汽化热： 真空蒸发系统中的热源将蒸发源材料加热到足够高的温度，使其原子或分子获得足够高的能量，克服固相原子的束缚而蒸发到真空中，并形成具有一定动能的气相原子或分子，这个能量就是汽化热。 物质的饱和蒸气压：在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸汽与固态或液态相平衡时所呈现的压力。 物质的饱和蒸气压随温度的上升而增大，一定的饱和蒸气压则对应着一定的温度。规定物质在饱和蒸气压为1.3Pa时的温度，称为该物质的蒸发温度。 四、物质的蒸发速率 单位物质表面的质量蒸发速度: 实际合金的蒸气压之比更加偏离合金中的原始组分之比。 PA = ?A ? APA(0) ；PB = ?B ? BPB(0) ； －?A， ?B 分别为元素A、B在合金中的活度系数 合金中A、B组元的蒸发速率之比为 对于初始成分确定的蒸发源，易于蒸发的组元优先蒸发，造成该组元的不断贫发，造成该组元的蒸发速率下降。 实际采取的措施：采用双源或多源，分别加热至不同温度来控制每一组元的蒸发速率。 4、多组分薄膜的蒸发方法 利用蒸发法制备多组分薄膜的方法主要有三种方法 （1）单源蒸发法：先按薄膜组分比例的要求制成合金靶，然后 对合金靶进行蒸发、沉积形成固态薄膜。基本要求是合金靶中各组分材料的蒸汽压比较接近。 （2）多源同时蒸发法：利用多个坩埚，在每个坩埚中放入薄膜所需的一种材料，在不同温度下同时蒸发。 （3）多源顺序蒸发法：把薄膜所需材料放在不同坩埚中，但不是同时蒸发，而是按顺序蒸发，并根据薄膜组分控制相应的层厚，然后通过高温退火形成需要的多组分薄膜。 加热装置的分类和特点： （1）丝状（0.05-0.13cm)，蒸发物润湿电阻丝，通过表面 张力得到支撑。只能蒸发金属或合金；有限的蒸发材料被蒸发；蒸发材料必须润湿加热丝；加热丝容易变脆。 （2）凹箔：蒸发源为粉末。 （3）锥形丝筐蒸发小块电介质或金属。 六 真空蒸发源 缺点 （1）加热装置与蒸发物会反应 （2）难以蒸发电介质材料（Al2O3,Ta2O5,TiO2等） （3）蒸发率低 （4）加热蒸发时合金和化合物会分解。 难熔物质的蒸发： 适合制备高纯，难熔物质薄膜 可同时安置多个坩埚，同时或分别蒸发多种不同物质。 大部分电子束蒸发系统采用磁聚焦或磁弯曲电子束，蒸发物质放在水冷坩埚内，可以制备光学、电子和光电子领域的薄膜材料。 如Mo、Ta、Nb、MgF2、Ga2Te3、TiO2、Al2O3、SnO2、Si等等。 3、激光加热蒸发 利用激光作为热源使待蒸发材料蒸发。 激光蒸发属于在高真空条件下制备薄膜的技术。激光源放在真空室外边，激光束通过真空室窗口打到待蒸发材料上使其蒸发，沉积在衬底上。 适合制备高纯，难熔物质薄膜 可用来制备光学薄膜 Sb2S3, ZnTe, MoO3, PbTe, Ge, Si 制备陶瓷薄膜：Al2O3, Si3N4, 氧化物薄膜：SnO2，ZnO 超导薄膜YBCO 注：Sb(锑ti) Te(碲） 在较低的反应气体压强下，经电弧蒸发可得到一些陶瓷薄膜。如在氮气氛下，对金属Ti和Zr（锆）起弧制的TiN和ZrN薄膜，在氧气氛下，Al起弧制得氧化铝薄膜。 5、高频感应加热： 在高频初级感应线圈的作用下，通过坩埚或被加热物质本身的感生电流加热实现对源物质的加热。（高频高压小电流） 七、真空蒸发法的优缺点 优点： 设备简单，操作容易，所制备的薄膜纯度比较高，厚度控制比较准确，成膜速率快 缺点： 薄膜与衬底附着力较小，工艺重复性不理想，台阶覆盖能力差。 3.3 薄膜沉积的厚度均匀性和纯度 一、薄膜沉积的方