《《第十章 晶体薄膜衍衬成像分析》》.pdf

第十章 晶体薄膜衍衬成像分析 §10－1 薄膜样品的制备 一、样品的制备 电子束对金属薄膜的穿透能力与加速电压有关， 加速电压为：200KV 穿透厚度为：500nm 加速电压为： 1000KV 穿透厚度为： 1500nm 对样品的要求： ① 一般金属样品的厚度在 500nm 以下 ② 样品制备过程中不能改变样品的组织结构 ③ 薄膜应有一定的强度和刚度，操作过程不变形 ④ 不产生氧化和腐蚀 从块状试样中直接截取 下来，按一定的工艺进 行制膜 样品制备的方法 直接制备法：如真空蒸发 沉淀、溶解沉淀、凝固、 轧制。 二、工艺过程 由大块试样制备金属薄膜的工艺过程主要分三个步骤： 1. 切割成“薄块”，厚度为0.2 ～0.5mm （有色金属为 0.5mm，钢为0.2 ～0.3mm) 2. 预减薄成“薄片”，厚度为：0.05 ～ 0.07mm(50~70 μm)。（砂纸上磨或化学腐蚀后再磨) 3. 减薄成“薄膜”，＜500nm （0.5 μm ）（使用双喷电解 抛光法穿孔法或双离子束减薄穿孔法） a 双喷电解抛光法 b 双离子束减薄法 观察孔 Ar Ar 真空 §10－2 衍衬成像原理 明场像 成像方式 暗场像 a 明场像（BF） b 中心暗场像（DF ） 明场和中心暗场对比 §10－3 消光距离 入射波 电子波在晶体中传播 过程中，入射电子受原子 强烈的散射作用，在晶体 内部透射波与入射波之间 ξ 的相互作用实际上是不能 g 忽视的。 透射波I 衍射波I 0 g ξ— 消光距离 g “消光“是指机关满足衍射条件，由于动力学相互作用在 晶体内一定深度处衍射波（或透射波）的强度实际为零 π θ d cos 理论推导表明： =ξ g λnF g d — 晶面间距