电感的升压降压原理.docVIP

降压原理 解释一： FET为ON时的电路图 在FET为ON的时间里，L积蓄电流能的同时为输出供电。虚线表示的电流路径虽是微小的漏电流，但会使轻负载的效率变差。 FET为OFF时的电路图 在FET为OFF时，L要保持OFF前的电流值，使SBD为ON。此时，由于线圈的左端被强制性地降到0V以下，VOUT的电压下降，即降压电路原理。 由此，FET的ON时间长L里积蓄的电流能越大，越能获得大功率电源，降压的幅度越小。 降压时，由于FET为ON时也要给输出供电，所以不需要限制占空比的最大值。 解释二： 降压式 DC/DC 变 换器基本工作原理电路如图所示。 VT1 为开关管，当 VT1 导通时，输入电压 Vi 通过电感 L1向负载RL供电，与此同时也向电容 C2 充电。在这个过程中，电容 C2及电感L1中储存能量。当VT1 截止时，由储存在电感 L1中的能量继续向 RL供电，当输出电压要下降时，电容C2中的能量也向RL放电，维持输出电压不变。二极管VD1为续流二极管，以便构成电路回路。输出的电压Vo经R1和 R2组成的分压器分压，把输出电压的信号反馈至控制电路，由控制电路来控制开关管的导通及截止时间，使输出电压保持不变。 控制电路和VTI，VD1是一体的都是RT8024 升压原理 解释一： FET为ON时的电路图 在FET为ON的时间里在L积蓄电流能。虚线表示的电流路径虽是微小的漏电流，但会使轻负载的效率变差。 FET为OFF时的电路图 在FET为OFF时， L要保持OFF前的电流值，相当于在输入回路增加了一个“电源”。由于线圈的左端被强制性固定于VIN，因此输出VOUT的电压要大于VIN，即升压电路原理。由此，FET的ON时间越长（FET的触发占空比D越大），L里积蓄的电流能越大，越能获得电源功率，于是升压就越高。但是，FET的ON时间太长的话，给输出侧供电的时间就极为短暂，FET为ON时的损失也就增大，变换效率变差。因此，通常要限制占空比的最大值，不超过适宜的占空比D。 解释二：