离子注入对ZnTeO中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．23(2014) 237103 离子注入对ZnTe：O中间带光伏材料的微观结构及 光学特性的影响冰 甄康 ) 顾然 ) 叶建东 )2)十 顾书林 ) 任芳芳 ) 朱顺明) 黄时敏 ) 汤琨 ) 唐东明 ) 杨焱 ) 张荣 ) 郑有蚪 ) 1)(南京大学电子科学与工程学院，南京 210093) 2)(DepartmentofElectronicMaterialsEngineering，ResearchSchoolofPhysicsandEngineering，theAustralianNational University，Canberra2601，Australia) (2014年5月28日收到；2014年7月24日收到修改稿) II—VI和III—V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系，但中间带的形成及其能 带调控等关键 问题仍未得到有效解决．采用氧离子注入方式，在非平衡条件下对碲化锌 (ZnTe)单晶材料实现 了等 电子掺杂，深入研究了离子注入对ZnTe：O材料的微观结构和光学特性的影响．研究表明：注入合适浓度 的氧离子f2．5x1018am-3)将会形成晶格应变，并诱导1．80ev (导带下0．45ev)中间带的产生；而较高浓度 (2．5x100cm_31的氧离子会导致ZnTe注入层表面非晶化，并增强与锌空位相关的深能级 (～1．6eV)发光． 时间分辨光致发光结果显示，离子注入诱导形成的中间带主要是和氧等电子陷阱束缚的局域激子发光有关， 载流子衰减寿命较长 f129ps)．因此，需要降低晶格紊乱度和合金无序，实现 电子局域态向扩展态的转变，从 而有效调控中间带能带结构． 关键词：中间带，离子注入，高失配合金，II—VI族半导体 PACS：71．20．Nr，78．20．一e，78．30．Fs，78．47．D— DOI：10．7498／aps．63．237103 fPLD)方法在GaAs衬底上制备出ZnTe：O材料，发 1 引 言 现中间带位于导带底0．4—0．5eV，与利用能带反交 叉模型及第一性原理计算的理论值相符合．同 中间带太阳电池作为新型高效的第三代太 时，研究发现该中间带具有较低 的辐射复合系数 阳电池的代表之一，具有结构简单、成本低廉等 f1．2×10_10cm3-s～11和较高的价带到中间带的 显著优点，同时具有与三级叠层 电池相当的极 光吸收系数f约104cm 19【J．而更多的研究显示 限效率 (聚光条件下可达63％)，极大地引发 了人 ZnTe：O中位于1．8eV的带 内发光是 由与氧陷阱相 们对 中间带光伏材料 的研究兴趣 1【，2]．美 国劳伦 关的束缚激子的发光所导致 [1O-la】．Tanaka等 1【4j 斯一伯克利 国家实验室率先提出将等 电子但 电负 采用MBE方法制备出P—ZnTe／ZnTe：O／n—ZnO异 性差异较大的氧和氮分别对II—VI和III—V族化合 质结构，并发现该结构在导带 以下0．7eV仍具有较 物进行 稀“释”(如 ZnTe：O或GaAs：N)，从而构建 好的光响应特性；而Wang等 [7】报道的ZnTe：0基 具有 中间能带的新型高失配合金体系 3【_6]．文 中间带光伏 电池 中，虽然短路电流获得增加，但开 献 [6—8]利用分子束外延 (MBE)和脉冲激光沉积 路 电压 的损失使得整体光 电转换效率仍小于 1％． 国家重点基础研究发展计划 (批准号：2011CB302003)、国家 自然科学基金 (批准号60990312，61274058