VND3207对γ射线所致细胞DNA损伤和凋亡防护作用.pdf

研究生：黄锐 导师：贺性鹏教授 周平坤研究员 专业：卫生毒理学 中文摘要 目的：应用体外培养的证常人淋巴母细胞AHH-1和皮肤成纤维细胞HSF研究香 兰素衍生物丁香醛(VND3207)对60Co Y射线诱发DNA损伤和细胞凋亡等的防 护作用，旨在发现新的抗辐射活性化合物。 方法：采用体外细胞培养，将细胞用不同浓度的VND3207化合物在照射前2h 预处理后接受不同剂量弋o7射线照射。采用中性单细胞凝胶电泳实验及 V标记 Y—H2AX免疫荧光原位杂交检测DNA双链断裂损伤修复：通过Annexin 结合流式细胞术观察细胞凋亡；流式细胞术测定细胞周期变化；运用克隆形成 实验分析细胞放射敏感性；6．TG抗性突变细胞克隆形成实验分析HPRT基因突 变：胞质分裂阻滞细胞微核实验检测细胞微核形成率。 性，随着VND3207浓度增加，照射细胞的克隆形成率增高。AnnexinV标记结 合流式细胞术和双荧光染色法检测均显示，4．0 GyY射线照射AHH．1细胞后凋 VND3207能显著降低4．0 亡发生率，随着时I．目J延长而增加，409M 7射线照 Gy 射诱发的凋亡率及坏死率。通过流式细胞术测定细胞周期变化，发现VND3207 对辐射细胞周期进程的改变没有明姓的影响。60Co丫射线照射诱发细胞DNA双 链断裂损伤呈照射荆醚．效应关系，加入VND3207化合物对60Co Y射线照射诱 发DNA双链断裂损伤具有良好的保护作用，且5HM浓度就能观察到防护DNA ～ 双链断裂损伤的效应。同时，VND3207在5～409M浓度下，能显著降低O．5Gy、 1．0Gy和2．0Gy^r射线照射AHH—l细胞的微核率，且呈现良好的剂量-效应关 系，其中，40pM浓度作用下2．0Gy丫射线照射细胞的微核率减少40％。VND3207 亦能降低Il|60Co^r射线照射诱发的细胞刎哏7’基冈突变率。 结论：在体外培养细胞体系中，VND3207能通过减少辐射细胞DNA双链断裂 损伤发挥辐射防护和维持基因组稳定性作用。 关键词：Y射线：辐射防护；香兰素衍生物：DNA损伤；微核实验：细胞凋亡； HPRT基因突变；细胞周期 ProtectionofvanillinderivativeVND3207onDNA and damage induced apoptosisby,／-rays ABSTRACT the effectvanillin of derivative Objective：Toinvestigateprotective syringaldehyd (VND3207)011DNAdoublestrandbreakand and mutation repair,gen