宽带隙半导体SiC和ZnO的光电性质及掺杂研究.pdf

摘要 摘要 SiC和ZnO属于第三代宽禁带半导体材料，它们都有很多优良的性能，所 以一直都是人们研究的热点。 SiC是一种典型的宽禁带半导体材料，迁移率很高、热稳定性和化学稳定性 比较优良，在一些特殊的电子器件制造方面有非常大的应用潜力，比如高频、大 功率、耐高温、抗辐射等。然而，SiC材料单晶片价格昂贵，目前国内虽已有了 SiC单晶材料生长的相关报道，但其质量不好，高质量的SiC单晶片还需要进 口，并且进口的单晶片还只是小尺寸的，大面积单晶片依然难以制备。这样的现 状促使人们探讨在一些廉价衬底上生长SiC薄膜的方法，比如硅基片。一方面 由于目前硅工艺比较成熟，可以买到很廉价的大面积的高纯硅基片，另一方面， 在Si衬底上生长SiC薄膜，可以使我们的SiC制备与目前世界上已经比较成熟 的Si工艺相结合，制备出相应的Si基器件，以适应大规模集成电路的需要。 eV的禁带宽度(直 ZnO是一种II．Ⅵ族的半导体材料，在室温下有着3．37 接带隙)，激子结合能高达60meV，因而受到了广泛关注，人们普遍认为它有望 取代GaN而作为新一代短波长光电子材料的领军者。随着ZnO半导体材料的 性质和制备工艺的研究不断的进展，基于ZnO的器件，特别是其光电子方面的 器件研究取得了巨大进展，但目前来说还未达到实用化水平，其发展已到了瓶颈 阶段，因而需要对ZnO材料的一些最基本的问题进行深入研究，比如说ZnO中 的掺杂和缺陷，ZnO的生长设备改进，高质量的P型ZnO制备等等。另一方面， 可以寻找其它P型衬底，来异质外延n型ZnO薄膜，制造异质pn结，并且研究 其电致发光，也引起了人们的广泛关注。 围绕上述背景，本论文分为五章，主要内容概括如下： 第一章，简单介绍了SiC和ZnO的基本性质，包括结构，力学性质，热学 性质，光电性质，介绍了它们的常用制备方法和表征手段，以及它们的广泛应用 前景。 第二章，具体介绍了我们实验组自行设计的，联通式双反应室的MOCVD 设备。 摘要 第三章，用MOCVD设备在硅衬底上制备了高质量的SiC掺Al薄膜，研究 了Al在SiC薄膜中的掺杂机制，研究了SiC掺Al薄膜的导电类型调控。 第四章，利用磁控溅射方法，在6H．SiC单晶片上外延掺Sb的ZnO薄膜， 同时生长纯的ZnO薄膜作为对比，研究Sb掺杂对于ZnO薄膜的缺陷和光学性 质的影响。 第五章，总结和展望。 关键词：碳化硅，氧化锌，薄膜生长，掺杂，导电类型 H Abstract Abstract Asathird widebandsemiconductor ZnO generation gap materials，SiC，and becauseofitsexcellent hasbeenone ofhot performance study spots． materialswith SiCasa wideband semiconductor mobility, typical gap high excellentthermal andchemical stability stability，high—frequency,highpower,high other has for and electronicdevices temperature，r