wolt,xgt;气敏薄膜与znometalzno金属介质多层膜的正电子研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文使用正电子湮没技术，对WOx气敏材料和ZnO／Metal／ZnO金属介质多 层膜做了系统地研究，分析了样品的实验数据，并得到一些有意义的物理结论。 在完成实验分析的同时，作者还对ZnO／Metal／ZnO金属介质多层膜做了理论设 计，以获得400至700纳米可见光波段内的高透过率的膜系。 1．WO。气敏材料的正电子研究 利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)，通过逐步改变热钨丝的温度，制备了 一系列WOx纳米结构薄膜的样品。样品的形貌和沉积率由扫描电子显微镜观察， 发现WOx纳米结构的形貌和热丝的温度(TO及热丝与抛光Si(100)基底间的距离 (df)有着极大的关联。X射线衍射法和拉曼光谱法用来研究Tf对于样品结晶状态 的影响。而样品化学计量比和缺陷类型的变化规律则通过X射线光电子谱及慢 正电子束注入谱(SPIS)来揭示。当Tf逐步升高到1750℃时，形成了氧化钨纳 米结构。我们发现Tf存在一个拐点，在此拐点上样品的结晶度和化学计量比的 状态都达到最佳值。当Tf继续上升到2100℃或df减小时，薄膜的结晶度变差， 相应地，标准化学计量比的W03的比例减小并出现大量的空位团。为了使样品 的化学状态从亚化学计量比向标准化学计量比转变，样品沉积时通入的混合气体 中氧气含量需要提高到一个合适的值。 2．ZnO／Metal／ZnO金属介质多层膜的正电子研究 透明导电膜。样品的形貌和结晶状态通过了扫描电子显微镜和X射线衍射法来 获得。同时还使用了慢正电子注入谱来分析样品的微结构。中间金属介质层比较 薄的样品在退火后，其S．E曲线的变化规律与其他样品有着明显的不同。结晶性 质，金属与ZnO的相互扩散及金属层的团聚等因素都影响着多层膜的光电性质。 通过调整多层膜中每一层薄膜的厚度控制及合适的退火条件，我们可以获得低电 阻率及高光透过率的多层透明导电膜。 3．ZnO／Metal／ZnO透明导电膜及其表面减反射减偏正膜的理论设计 根据非均匀膜系理论，设计并优化了减反射减偏振膜，使ZnO／Metal／ZnO金 属介质多层膜结构获得低电阻率，并在400至700纳米可见光波段内达到较高的光 透过率。多层膜中每一层的厚度及减反射膜系的厚度的优化能够明显改善透明导 电膜的光学性质。Ag是作为中间金属层的最佳材料。在00入射条件下，优化后的 上。其中减反射膜仅为6层。设计结果表明，多层透明导电薄膜的透过率得到大 摘要 幅度提高。这一设计对ZnO／Metal／ZnO透明导电膜在宽角度入射情况下的应用有 重要的意义。 关键词：慢正电子束，WOx气敏材料，ZnO／Metal／ZnO金属介质多层膜，减偏振 减反射膜 II Abstract ABSTRACT This dissertationstudieson materialsand presents WOxgassensitivity ZnO／Metal／ZnO films annihilation multilayerbypositron techniques．Some resultswere of conductive interesting discussed．Meanwhile，a designtransparent ZnO／Metal／ZnO filmswasdonetoobtain transmittanceof multilayer high from400nmto wavelength 700nm． 1．PositronOil materials