氧化锌量子结构、缺陷和发光性能的研究.pdfVIP

摘要 氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿结构的II．VI族宽带隙半导体材料，室温下带隙 宽度达3．3 eV。它具有良好的物理特性，易于与多种半导体材料实现集成化，是一种广泛 应用的光电材料。 本文总结了ZnO量子点的基本特性以及微观结构，回顾了目前国际上通用的ZnO 制备方法、结构缺陷分析与控制的研究现状。随后围绕ZnO量子点的可控制备及对ZnO 量子点表面缺陷的调控两大方面展开了研究，探讨了液相法技术控制ZnO量子点粒径 的因素与途径，利用发光光谱研究了表面处理对ZnO量子点缺陷的修饰与控制以及金属 或稀土离子掺杂对发光波长的影响。研究结果如下： 1．具有可控粒径ZnO量子点的合成及其生长动力学的研究：量子点粒径的控制合成 是研究其各种性质的前提，在光电器件的应用中起着重要的作用。本文系统地讨论了反 应温度、前驱物浓度及溶液的pH值对ZnO量子点生长过程、粒径及荧光强度的影响。 M时，调节反应温度可以使ZnO量子点 结果表明：当pH在9左右，前驱物浓度为0．02 直径在3nm．6 nm之间变化。我们对不同温度下ZnO量子点形成过程中的形核，长大和 老化阶段进行了讨论，发现晶核的形成和长大阶段为快速过程