硅锗核壳纳线的带隙漂移和光吸收性质的应变调制.pdfVIP

摘 要 作为微纳光电子器件领域中一类重要的结构单元，Si／Ge和Ge／Si 核壳纳米线因其优异的物理和化学性质得到了科学家们的重点关注。 核壳纳米线体系与相应的块体材料和单组元纳米线不同，它的壳层能 使体系内载流子发生分离，容忍更多的无位错弹性形变，以及为体系 表面势阱态提供有效钝化。此外，核、壳原子层之间由于界面失配和 热胀系数的不同，体系将处于总能极小的自平衡态。因此，体系的性 质将受到表面和界面的调制。从而，从理论的角度澄清界面之间的相 互作用机理以及体系性质的尺寸和形状效应对核壳纳米线的制备和 应用极为重要。 半导体核壳纳米线结构的能带结构、带隙和光吸收系数是表征其 电子学和光学性质的重要物理参量。目前的研究中，对此类问题的研 究一般采用实验和计算的方法，而从原子层次的理论模型和相关理论 机制的探索还比较缺乏，特别是对于尺寸和形状效应对体系能带结构 和光吸收性质的调制机制还不清楚。因此，本论文中，基于我们所发 展的原子键弛豫理论模型和连续介质力学理论，我们建立了尺度和形