离子掺杂对iolt;,2gt;能隙巨红移的影响.pdfVIP

摘要 Ti02半导体材料化学性质稳定，无毒，在紫外光照射下具有极强的氧化还原性，在 光催化和太阳能电池方面具有广泛的应用前景。但是Ti02属于宽禁带半导体(3．2eV)，对 太阳能的利用有限，同时光生电予空穴对易复合，闪此实际应用受到很大限制。本文针 对Ti02的实际应用存在的问题，我们从Ti02的禁带宽度入手，研究了不同金属离子掺杂 对TiO：禁带宽度影响。通过掺杂改性得到了吸收边巨红移的Ti02薄膜和粉末，极大地增 加了Ti02材料对太阳光的利用。 首先，制备方法对材料的性质影响很大，不同的制备方法所制备得薄膜的特性也有 所不同，本文采用脉冲激光沉积的方法制备了不同金属离子掺杂的Ti02薄膜，通过研究 掺杂浓度，氧偏压，衬底温度，后续退火温度等实验条件对Ti02纳米薄膜性质的影响， 得到了各金属离子的最佳掺杂。实验发现，V-Ga共掺杂都能够极大地减dxTi02的禁带宽 度，使吸收边越过可见区域，实现了吸收边的巨红移，V-Ga共掺杂的最佳比例是l：0．5， 1．34eV；2％Fe掺杂也能将Ti02的禁带宽度减小 大，l％的Mn掺杂能将Ti02的能隙减d,N 到2．56eV；稀土金属离子由于半径较大，很难进入Ti02