稀磁性半导nilt;,xgt;snlt;,1-xgt;olt;,2-δgt;一维纳米结构的制备、微结构和磁性的研究.pdfVIP

摘要 本文采用化学气相沉积法分别制备了Sn02纳米线和NixSnl．。02．6纳米线及纳 米带样品，探索了获得居里点在室温以上的稀释铁磁性半导体纳米线的制各方法 和工艺条件；用x射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜 样品进行了系统的研究，详细研究了样品的微结构、形貌以及磁性，并对其生长 机理和磁性来源进行了探讨。 主要结论如下： 1．利用催化剂辅助，在Si衬底上沉积了Sn02纳米线样品，表面光滑，直径分布 在40．150nm之间，在轴向上直径没有明显变化，长度大于20微米，单晶。 2．利用化学气相沉积法，在Si衬底上沉积了NixSnl．x02-6纳米线及纳米带样品， 纳米线直径在30nm．150nm之间，特征尺寸为50nm，纳米带特征尺寸为厚度 33nm，宽度170nm，长度大于2微米，单晶。 3．讨论了纳米线及纳米带的生长机制，认为是气一液一固机制控制其生长，并 通过增加金层厚度制各样品的方法捕获小液滴分裂细节。 4．在NixSnl．x02-6纳米线及纳米带样品的常温磁化曲线上可以观察到明显的磁 滞，表明样品具有室温铁磁性，磁矩可达3．33∥a／Ni，并且随着掺入量的增 加磁距先升后降。