稀释磁性半体研究.pdfVIP

摘要 摘 要 由于自旋相关现象的发现及其许多极具潜力的实用性，自旋电子学的研究在 全世界得到了广泛开展。其中磁性半导体被认为是下一世代利用电子的自旋自由 度制造微电子元件的主要材料，有很好的应用前景。磁性半导体通常是将磁性元 素注入II．Ⅵ族或III．V族的半导体中，形成稀释磁性半导体(Diluted Magnetic 实用。自从2001年来，有大量的工作报道了具有室温铁磁。眭(Tc300K)的稀释 磁性半导体，并有望获得应用，但对铁磁性的起源尚有很大争议：一种观点认为 是磁性原子在材料中形成了团簇或者第二相，导致铁磁性；另一种观点认为铁磁 性是内禀的，是磁性离子替代了氧化物中阳离子的位置的结果。。对后者其解释也 不尽相同，有载流子诱导的交换作用(如RKKY相互作用)和缺陷引起的磁极 化子两个模型。因此深入研究此类材料的微结构，对澄清铁磁性来源至关重要。 到目前为止，此材料的制备多采用激光脉冲沉积法制备薄膜，而采用其它方法的 涉磁强计(SQUID)等手段，系统地研究了这些样品的微结构和磁性，得到的主 要结果如下