稀磁半导体二元半金属铁磁体的第一性原理研究.pdf

摘 要 稀磁半导体及二元半金属铁磁体的第一性原理研究 专业：凝聚态物理 博士生：黄丹 指导教师：陈弟虎教授 摘 要 半导体中的自旋流注入是实现半导体自旋电子器件的关键，探寻在室温下对 传统半导体高效自旋注入的新型材料是最重要也是最富有挑战性的问题。目前， 探寻引入自旋流新材料的研究主要有集中在稀磁半导体及半金属铁磁体两方面。 稀磁半导体是指在常规半导体中掺入磁性元素，使半导体具有自旋极化特征，从 而产生自旋流。而半金属铁磁体具有100％的自旋极化率，外延生长在半导体上 能作为自旋流注入源。同时，第一性原理计算方法作为一种不需要任何经验参数 的理论计算方法，能在电子结构层次上分析材料各种性能的微观起源，解释实验 现象，同时还能对材料的性能进行相关预测，起到指导实验的作用，越来越受到 材料科研工作者的重视。 本论文利用第一性原理计算方法对ZnO：Cu，Ti02：V两类稀磁半导体以及二 元V基Zinc．blende型半金属铁磁体进行了理论研究。在对稀磁半导体的研究中， 我们除了研