竖直耦合砷镓砷化铟镓自组装量子点中电压调控的berry相.pdfVIP

摘 要 竖直耦合砷化镓/砷化铟镓自组装量子点 中电压调控诱导的Berry 相 摘 要 近年来，量子信息和量子计算作为新兴的学科分支受到各领域研究 者的关注并取得了很多的重要进展。各种各样的量子计算方案被提出来。 量子点系统被认为是一种非常有前景的物理系统，因为它的制作工艺和 现在大规模运用的半导体产业很接近。在经典的光通讯中，光的强度和 相位都可以作为信息传递的手段，在未来的量子计算和量子通讯中，我 们希望可以实现量子的相位信息传输和计算，因此找到一种能被用来进 行测量和调控的量子系统相位就成为一件非常有价值的事情。绝热近似 下的 Berry 相被证明是一种有潜在应用价值的相位，因为它对环境有较 好的抗干扰能力。 在本文中，我们从理论上计算了在竖直耦合的自组装砷化镓/砷化铟 镓量子点系统中受到电压调控的Berry 相。我们发现，当电压缓慢地从 0.4eV变到1.3eV时，系统的Berry 相可以从2π变到0或者0变为2π. 在实验中，当偏压从0.8eV变为0.9eV 时，系统的Berry 相将