缺陷与杂质in在graphene上吸附影响的研究.pdfVIP

摘 要 电子性质和环境下的稳定性为制作纳米尺度的晶体管进而研发出基于graphene的集成 子特性，讨论In吸附在graphene上形成量子线结构的特点以及吸附能与覆盖度的关系， 进而探讨空位与Si掺杂对In吸附的影响。 的吸附形态结构的影响，进而研究了吸附能与覆盖度的关系。结果表明，在覆盖度1／6 加强，使量子线趋于稳定，而线间的In原子的相互作用较弱，由于吸附高度较高，与 作用大些，不同吸附位的吸附能差别稍大。二者的稳定吸附位是相同的，均在顶(T) 位，最大吸附能相差很小。 较弱的相互作用得到加强，与无掺杂的情况相比，111的吸附更稳定。 关键词：Graphene，第一原理，In，吸附，空位，Si ABSTRACT in2004．Due isanewcarbon-basedmaterialfirstmade inlaboratory to Graphene being successfully theex