质子辐照gasalgaas太阳能电池电学特性研究.pdfVIP

摘 要 本文研究了质子辐照GaAs太阳能光电池的电学特性。通过深能级瞬态谱 对不同能量的质子辐照造成的电池损伤特性进行了研究。其主要结果如下： 1、通过对辐照样品进行Ⅳ测试，发现对于不同能量(40，70，100， 重，而40keV和4MeV质子辐照相应造成的损伤较小。对于相同能量，不同辐 照强度的质子辐照样品，随辐照强度增大，电池损伤加剧。通过SRIM理论模 拟，得出不同能量质子辐照在电池内造成的空位分布，通过空位分布可以看 造成的空位分别集中在电池的窗口层以及电池的背面。通过SRIM模拟图可以 看出缺陷在电池内的分布造成的影响。 2、通过DLTS测试，测得质子辐照产生的缺陷的激活能，缺陷浓度等参 质子辐照产生的缺陷信号非常小，这是因为用DLTS测量只能探测到PN结区 区域没有分布，因此在后面的对比中，我们主要考虑70，100，170keV质子辐 照造成的缺陷分布。 3、对传统的DLTS求缺陷分布公式作出修正，得到了不同能量质子辐照在 pn结产生的缺陷浓度分布。通过改变DLTS实验过程中脉冲与静态偏压大小， 计算出在PN结不同区域缺陷的分布情况，将DLTS测试结果与SRIM理论模拟 结果进行比较，发现结果基本吻合。 4、分