脉冲激光沉制备不同择优取向的a1n薄膜的研究.pdfVIP

摘要 由于氮化铝AlN薄膜具有稳定的物理性质和化学性质、机械强度高、绝缘性 能又好、直接带隙宽、热传导率高、低热膨胀系数等特点，广泛应用于声学表面 波器件、微电子及光学器件，有关AlN薄膜的制备研究己引起广泛的关注和兴趣。 本文研究了用脉冲激光沉积法制备AlN薄膜，通过优化激光能量、生长温度、环 境偏压等条件，制备了不同择优取向的AlN薄膜，分别用X射线衍射仪、拉曼光 谱仪、傅立叶变换红外光谱仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子 谱等仪器检测了样品的结晶度、表面形貌等结构特性。 的AlN薄膜，通过用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪、原子 力显微镜、扫描电子显微镜、X射线光电子谱等仪器对样品进行了检测，结果表 面内表现为各向同性，不是外延生长。 方向择优取向最强，并且用石英和兰宝石衬底上同样条件下也可以生长成(002) 方向择优取向的AlN薄膜。 最后制备AlN薄膜用不同的环境偏压，结果表明当N2偏压大于2x1酽Pa时， 所制备的AlN薄膜不结晶，只有在高真空条件下才能制备出择优取向的A1N薄膜。 本文讨论研究了在不同条件下制备不同择优取向的舢N薄膜，通过研究表明 大小决定了结晶度及择优取向，动能越大，结晶度越高，动能越小，越不利于结 下一