au（geiolt;,2gt;）p-si结构的电流输运及电致发光机制研究.pdfVIP

摘要 随着信息技术的迅猛发展，用光代替电子作为信息的载体，加快信息的传递速度， 己成为光通讯技术和光电子计算机发展的必然趋势。光电子信息材料是本世纪最受关注 的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅平面集成工艺己相 当成熟，所以从工艺兼容性方面考虑，用硅基材料作为发光器件将会是最佳的选择。同 时，硅基材料和硅平面工艺是超大规模集成电路的核心和关键，纳米硅晶(纳米锗晶等) 在发光器件、光探测器件、光电集成以及传感器等领域有更广阔的应用前景。由于二氧 化硅是硅基集成电路的钝化膜和介质膜，与硅基平面工艺完全兼容，如果能实现纳米硅 (锗)／-氧化硅体系的有效发光，就有望实现光电集成。 为了探索制备理想的发光材料的最佳工艺方法，并且从理论上认清其发光机制，对 优化材料的适用条件和制备手段进行指导，本论文中，我们小组主要用射频磁控溅射双 线以及不同正向偏压下的电致发光谱。对其载流子输运及电致发光的内在机制进行了研 究。 结构的电流输运机制，结果表明，在较低的正向偏压和反向偏压下，电流输运机制分别 限制电流两种机制共同作用。 在对电致发光机制的研究中，利用位形坐标模型分析了锗／氧化硅纳米多层膜的发 光中心，并用量子限制一发光中心模型对该纳米结构的电致发光