cacut;,3gt;tilt;,4gt;olt;,12gt;陶瓷高介电常数产生机理的研究.pdfVIP

CaCu，Ti-012陶瓷高介电常数产生机理的研究 中文摘要 中文摘要 随着微电子技术和产业的发展，微电子器件日益小型化和集成化。因此高介电常 数材料在微电子器件中，特别是在动态随机存储器(DRAM)中有着广泛的应用前景。 介电常数而引起了研究人员的关注。目前这种材料的高介电常数的起源问题尚未得到 完全澄清。而为了使这种新兴的高介电常数材料能广泛应用于电子产业界，搞清 CCTO高介电常数的产生机理就显得尤为重要，本文就是针对这一问题而做出了一些 探讨。 本论文首先通过对CCTO陶瓷样品在氮气氛(缺氧环境)和氧气氛(富氧环境) 中进行后处理后，研究不同功函数的电极和不同电极制备方法对样品的介电性质的影 响，讨论其高介电常数产生的物理机理。我们发现CaCu3ThOl2的高介电常数与样品 的表面电阻有着极大的联系。当样品表面电阻达1．2×108Q·cm，即表面处于接近绝 缘态的时候，样品没有明显的空间电荷，电极接触几乎对样品介电性质无影响，其高 介电常数来源于自身的晶界效应(即internal barrierslayers