ZnO薄膜MOCVD生长和性质.pdf

摘要 ZnO薄膜是一种很有发展前景的半导体LED材料。尽管P．i．n结ZnO—LED 已经实现，但其离实际应用还存在一定距离。目前有大量的文献报道了ZnO薄 膜材料生长方面的研究，而ZnO．LED器件加工方面的研究报道却很少，尤其是 LED器件加工过程有关清洗液及化学刻蚀溶液等方面的研究则更少，而这些清洗 液或化学刻蚀溶液可能会影响ZnO薄膜的性质，进而影响后续LED的性能，所 以对这方面的研究很有必要。 贵，是电绝缘体，且导热性很差，而si衬底便宜，具有良好的导电导热性能， 低成本，更重要的是si衬底生长高质量的ZnO薄膜对实现ZnO基光电集成具有 底上所生长的ZnO薄膜的质量，原因主要是六角纤锌矿ZnO与立方Si的晶体结 构格不匹配以及其生长工艺还不成熟。 针对上述情况，本文采用自制MOCVD系统对A1203(0001)及Si(111)衬底 退火对ZnO薄膜性质的影响。所获得的具有创新和有意义的研究结果如下： 长，且摸索了部分最佳生长条件。低温缓冲层的最佳生长温度为150～200℃，最 佳厚度约为100rim，外延层的最佳生长温度范围为600～700。C。 2、系统地研究了ZnO薄膜被稀HCl或H2S04溶液刻蚀后的表面和发光特 性。研究结果发现ZnO薄膜被这些溶液刻蚀后表面较平整，在干涉显微镜下没 有观察到明显的腐蚀坑。首次研究了ZnO薄膜被稀HCI和H2S04溶液湿法刻蚀 后的室温PL谱特性。研究结果表明，稀HCl和H2S04对ZnO的发光性质没有 激子发光影响很小。这些研究结果为将来ZnO—LED的湿法刻蚀工序提供了一定 的参考。 3、首次研究了ZnO薄膜被NaOH及H202溶液处理后的表面、结构和发光 特性。研究结果表明：高纯H202溶液在一定时间内能将ZnO薄膜表面的一些污 物清洗掉而使表面光滑平整；而ZnO薄膜被NaOH溶液处理后表面出现平整或 直线裂纹两神现象，通过此现象讨论了NaOH溶液刻蚀znO薄膜的机理。NaOH 和H202溶液对ZnO薄膜的深能级发光具有相似的效应，即具有强的525nm绿光 的ZnO原生样品经NaOH或H202溶液处理后，强的525nm绿光将大大减弱， 液处理后，也总是在500nm附近出现弱的绿光。这些研究结果对探讨525nm和 500rim绿光的起源提供了依据，并对将来znO．LED制作过程的清洗和湿法刻蚀 具有一定的参考价值。 4、退火研究结果发现：700。C以下，退火气氛对ZnO膜的深能级发光影响 较大；超过700℃后，退火温度对ZnO薄膜的发光影响大，但退火气氛影响不太 明显。通过退火对ZnO薄膜发光特性的影响，并结合H202和NaOH溶液室温下 对ZnO薄膜深能级发光的影响。本文认为525nm绿光可能起源于氧空，而500nm 绿光可能与不稳定的zn．o键有关，这点与文献的结论不同。 5、首次采用常压MOCVD法，在Si衬底上引入过渡Al层生长ZnO外延膜。 所获得的ZnO薄膜的质量与目前文献报道的最好结果即GaN／Si上生长的Zn0薄 膜的质量相当，且本文所采用的生长工艺简单、反应源便宜、生长速率快，适合 于商业化批量生产。 本文得到国家863计划纳米专项资助和电子信息产业发展基金资助。 退火， 绿光， 关键词：ZnO，MOCVD， 湿法刻蚀，H202 Abstract is in the ZnO has ZnO material懿used LED promise LED．Althoughp-i—njunction beenrealized isa toitscommercial arenumber recently,theregap application．There the of of on ZnOthin theresearch inthe repots gro