sp和tg型气敏传感器阻-温特性及硅基氧化硅薄膜材料发光机理研究.pdfVIP

摘 要 随着环境科学的发展及环境检测应用范围的不断扩大，成本低廉、性能良好的气 敏传感器的研制已经成为测量领域的热点。气敏材料的气敏特性来源于气体在材料表 面的吸附和表面反应过程，传统的气敏材料测试方法仅仅测试材料与气体接触前后电 阻的变化，只能反映气体吸附的结果，而不能反映吸附和解吸的动态过程。目前，研究 者普遍采用动态测试方法对传感器的性能进行全范围的研究，同时，气敏传感器电阻 一温度特性研究将为其响应性能的提高奠定坚实的基础。 20世纪80年代末诞生并发展起来的纳米科学技术有可能成为本世纪的主导技 术。纳米材料具有许多传统材料无法媲美的奇异特性和特殊功能，在各行各业中将有 空前的应用前景，从微电子集成到光电子集成将使信息技术产生一个巨大的飞跃。由 于硅具有一系列独特的性质，而且硅集成工艺非常完善，在微电子集成中，硅的基础地 位无可替代。硅基纳米发光材料已成为国内外学者研究的热点，它的电(光)致发光 机制已被广泛的研究，我们研究小组在硅基纳米发光材料的研究中业已取得了丰硕的 研究成果。 本论文的主要研究工作和研究结果如下： 1)针对当前国内外学者对传感器性能动态测试方法中必须关注的电阻．温度特 制造的传感器，在变化频率为20Hz的条件下测得其电阻随温度的变化值。通过实验， 我们得到了关于电阻-温度的经验方程，通过我们得到的方程计算的数据与实验结果 吻合得非常好，它可应用于对传感器实时信号响应过程的处理中。 2)采用射频磁控溅射法制备了锗／氧化硅纳米多层膜，测量到了来自Au／锗／氧 化硅纳米多层膜／pIsi结构的电致黄光发射，并发现该纳米结构具有整流特性。 3)采用双靶交替生长磁控溅射技术沉积了锗／氧化硅和硅／氧化硅薄膜，对Au／ 锗／氧化硅／p—Si和Au／硅／氧化硅，p-si结构的电致发光特性进行了比较研究。Au／锗／ 氧化硅／p-Si和Au／硅／氧化硅，p—si结构都具有整流性质，且两种结构的电致发光谱的 II 曲此坪范土学顼士．簟性论文 发光峰位在650．660hm附近。 4)采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜。测量得到随着讵 向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-si结构的电致发光峰位于650hm儿 乎不移动。 关键词：气敏传感器，动态测试，阻一温特性，硅基发光材料，射频磁控溅射 电致发光。 III 面北师蓖土学碛士学位恪文 Abstract ofenvironmentalscience detection the andtheenvironmental As development onthe deviceswith havebeenthe cheapmeasuring good technique，study performance ofmeasurementfield．Gassensitive sensitive new materialshave hotspot gas characteristicsbecauseofthe andreaction ofmaterials． adsorption of onthesurface gases record