ⅲ-ⅴ族氮物半导体量子点中激子的光吸收研究.pdfVIP

摘要 在近几十年来，由于宽带隙llI．V族氮化物量子受限结构(量子阱、量子线、量子 点)在光发射和光吸收等光电子应用器件方面有着广阔的应用前景，使得受限在其中的 激子的非线性光学性质成为半导体研究领域里比较活跃的一部分。本文考虑了由于压电 极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应的基础上，在有效质量和偶 子点和自组装In。Gal．xN／GaN单量子点中的激子态和激子的非线性光跃迁吸收系数进行 研究和讨论。 本文第一章对半导体量子点在近几年来的发展状况进行了综述，第二章对 III．V族氮化物半导体的性质进行了概述。第三章对纤锌矿对称 行了推导和介绍。考虑了量子点的三维约束效应和内建电场效应，我们研究了内 建电场对量子点中的激子的非线性光学吸收性质的影响，并且研究了在考虑内建电场 时量子点的主要结构参数(量子点高度、量子点半径)对量子点中的激子的非线性光 学吸收性质的影响。第四章给出了我们的计算结果：当考虑内建电场时，量子点中激 予的非线性光跃迁吸收峰强度明显的减小了，吸收曲线向低能方向移动，发生了红移现 象。计算结果还表明了随着量子点尺寸的减小，量子点中激子的非线性光跃迁吸收峰的 强度逐渐增强，吸收曲线向高能方向移动，发生了蓝移现象。而且量子点高度的变化 比量子点半径的变化对量子点中的激子的非线性光学吸收性质的影响要大得多。因此， 自组装虹Gal。N／GaN单量子点中的激子态和激子的非线性光跃迁吸收系数时，必须考 虑由自发极化和压电极化所产生的强的内建电场的影响，还要重视由量子点高度的变化 所引起的变化。最后在第五章，给出了我们计算的主要结论． 关键词：耦合量子点，单量子点，激子，内建电场，光吸收系数 Abstract Inthe few nonlinear past ofexcitonconfinedinthewideband years,the opticalabsorptionproperties 111_Vnitride structure gap quantum-confined material(quantumwell，quantum wire，quantumdot(QD)) started theresearch to in the devicesforemissionand of attracting attention，dueprospect absorptionlight in this theframeworkoftheeffective—mass optoelectronicapplication．Inpaper,within and approximation the theinfluence to dipole ofthebuilt—inelectricfieldsduethe and approximation，considering spontaneous the and3D confinementof excitunstatesandthe piezoelectricpolarization QD，the nonlinear