半导体中载子迁移的蒙特卡洛模拟.pdfVIP

摘要 本文利用蒙特卡洛方法，研究了半导体中载流子的迁移输运过程。半导体是所 有名噗固体≈才料中最令人感兴趣c和最有用的—类，对半导僻材料中裁黼门二迁移输运过程的 研究，将有助于深亥嘲揭示出半导体材料微观过程的实质，从深层次匕理解和掌握影响材 料性能的因素。在我们的蒙特卡洛模型中，我们提出要考虑样品对光的吸收和载流子在 西nh血区边界的Bfa鸥反射，并考虑了近自由电予漠型这种能带结构。根据找们的分析和 有关实验的结论，在我们的模型中，我们考虑了声学声子这种散射机制。在l嵯础匕，我 们以金刚石材料为例子，通过用模拟结果与相关实验比较分析，验证了我们所建模型的合 理性和正确性。 我们研究并确定了在蒙特卡洛模拟方法中采用的载流子数目，讨论了半导体 内载流子的加速输运过程和匀速输运过程，并利用蒙特卡洛模拟方法研究材料厚 度、外加电场强度以及温度对半导体内载流子迁移输运过程的影响。我们研究发 现：对半导体材料而言，在低场下，半导体材料内载流子的加速迁移阶段仅持续 一段时间，而后能量趋于稳定，进入匀速输运阶段；载流子的能量随着材料厚度 的增加而增大，但当其厚度达到一定值时，其内载流子的能量就不再增大；载流 子的能量随着外加电场强度的增大而增加，但当外加电场的强度增大到一定值后， 载流子的能量也不再增大，保持几乎不变；载流子的飞行时间首先随着电场强度 的增大而减小，当电场强度增加到一定值以后，载流予的飞行时间开始随着电场 强度的增大而增加；随着温度的升高，载流子的能量逐渐减小：在较低的温度范 围内，随着温度的升高，载流子的飞行时间逐渐减小，当温度升高到一定值以后， 载流子的飞行时间开始随着温度的升高而增大。 关键词：蒙特卡洛半导体迁移输运加速匀速 ABSTRACT in Inthis ofcarrierssemiconductorisstudied thesis，themigrationtransportprocess band MonteCarlomethodbasedon freeelectron through nearly is most andusefulsolid the ofthe oneofthe materials，and migration interesting study ofcarrierinsemiconductorcan todisclosethe trmmportprocess help microscopic materialcharacteristicsmore insemiconductormore andknowthe processes deeply this light insemiconductorandthe reflectionat clearly．Inthesis，theabsorption Bragg consideredinthe theacoustic thefirstBrillouinZone arc boundary simulation,and is intheMonteCarlosimulationmodel me