单层及有限石墨体系的扫描隧道显微镜图像模拟与纳米电子器件的理论研究.pdf

摘要 摘要 随着硅芯片加工工艺进入30纳米以下，传统的CMOS工艺将日趋极限，基于 新材料发展出具有量子效应的电子器件，已成为2l世纪科学研究的热点和趋势。 2004年单层石墨的发现引领了该领域研究的一场新浪潮。这种标准的二维材料 显示出优异的晶体结构及良好的电学性质，基于单层石墨的碳基集成电路有望通 过改进的刻蚀技术得以实现。此外单层石墨中的准粒子服从相对论狄拉克方程， 而不是传统半导体所遵循的薛定谔方程，这就为利用这种二维平面凝聚态的材料 来研究量子电动力学提供了可能。 在第一章中，我们简要介绍了一下现有硅工艺的局限性，碳纳米管的发现及 应用，单层石墨的发现及单层石墨中奇特的无质量狄拉克费米子，以及现有制备 单层石墨的方案。 · 在第二章中，我们利用紧束缚近似的模型，解析求解了单层及有限层石墨万 轨道的本征态和本征值，进而构造出其相应的传播子(实空间格林函数)。在有 效质量的框架下，单层及有限层石墨实空间格林函数可以解析的表达为空间各 向同性和空间各向异性两部分的乘积。其中各向同性的部分仅依赖于两个碳原子 之间的相对距离，而各向异性部分由正旋和余旋函数决定，具有120。的对称性。 利用得到的格林函数的解析表达式，结合Dyson方程，我们模拟了单层石墨上单 个杂质和多杂质构成的量子栅栏，双层石墨上单个、多个空位缺陷以及长、短程 势的扫描隧道显微镜图像。结果表明当杂质不破坏石墨表面固有的对称性时，其 相应的扫描隧道显微镜图像都呈现出120。的对称性。通过研究多层石墨表面电子 结构随层数的衍化，我们迸一步发现双层石墨的表面电子结构可近似由多层石墨 来反映，这就为实验上通过体材料石墨样品来定性研究双层石墨表面电子结构提 供了可能。 在第三章中， 我们在紧束缚近似的框架下，通过朗道模型研究了单层石墨 条带在弹道区的输运性质，并利用新颖的物理现象设计出多种量子器件。我们设 摘要 计的器件包括：1、Z形的量子点器件。将扶手椅形和锯齿形石墨条带接在一起 形成半导体／金属／半导体的异质结，量子点可以被束缚在金属部分。同时该结构 具有很好的抗扰动性，不会由于杂质、衬底和边界破损的影响而破坏量子点的存 在。2、锯齿形石墨条带的负微分电阻器件。通过掺杂将锯齿形石墨条带分为两 部分，选择性的隧穿规则导致其非线性的输运具有负微分特性，并且我们提供了 一种描述该选择性规则的一般方案。3、扶手椅形石墨条带的开关器件。利用不 同宽度的扶手椅形石墨条带可以是金属、半导体的特性，将不同宽度的部分接在 一起，通过调节门电压实现开关的效果。同时我们还发现了_．种选择性隧穿，借 此可以用来构造可调控的量子点。 关键词：石墨，扫描隧道显微镜，量子点，负微分电阻，开关 Abst删 Abstract AssilicondeVicesscaleddownt0 CMOS 30腑nomete璐，conVemiomltectHliques a陀lbt its limitations．ne0f eJec的flic approaclling physical deveJ0pingqu锄nllll deVicesbaSedonnew me isoncof materials，tllerefore，becomes important．Graphene m觚erialst0build