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反应离子刻蚀辅助的单纳米粒子水平的表面增强拉曼光谱研究 中文摘要 中文摘要  硅材料作为一种高效率、高增强因子的 SERS 基底近年来得到广泛的研究和应 用。我们最近报道的硅基 SERS 基底（包括修饰有金/银纳米颗粒的硅纳米线，修 6 8 饰有金/银纳米颗粒的硅片）的 EF 值可达 10 -10 ，远远高于游离态的金/银纳米颗 粒。但需要指出的是，过去关于 SERS 的研究大部分基于粒子的聚集态，从实验上 研究硅基底如何影响单个纳米粒子的 SERS 增强鲜有报道。由于聚集态的纳米粒子 间隙产生的“活性位点”（hot spots ）强烈影响着 SERS 增强，并很可能掩盖了其 基底 SERS 增强的贡献，所以在单纳米粒子水平进行 SERS 研究显得尤为重要。本 文首次从单纳米粒子水平出发，在实验和理论上同时证实了硅基底的 SERS 增强效 应，为硅材料作为一种具有潜在应用前景的 SERS 基底提供了良好的实验证明。 在本文中，我们发展了一种用反应离子刻蚀辅助的（reactive ion etching (RIE)-assisted ）制备单纳米粒子硅基 SERS 平台的方法，利用 RIE 刻蚀技术，便于 把单个纳米粒子均匀分散在 RIE 刻蚀形成的孔洞的中，再通过 SEM 成像对每个纳 米粒子的位置、尺寸、形貌进行精确的测量。该方法无需依赖暗场成像，只需研 究沉积在刻蚀后孔洞中的纳米粒子，定位区域更加精确，目的性更强。随后，我 们对硅基底上每个单独的金纳米颗粒进行 SERS 研究，发现相比于在石英玻璃基 底，硅基底对单个金纳米颗粒有更好的 SERS 增强效应。 关键词： 表面增强拉曼散射、反应离子刻蚀辅助、单纳米粒子水平、硅基纳米 材料 作 者：王思轶 指导老师：何 耀 教授 I 英文摘要 反应离子刻蚀辅助的单纳米粒子水平的表面增强拉曼光谱研究   Reactive ion etching-assisted surface-enhanced Raman scattering measurements on the single nanoparticle level Abstract Single-nanoparticle surface-enhanced Raman scattering (SERS) measurement is of essential importance for both fundamental research and practical applications. In this work, we develop a new class of single-particle SERS approaches, i.e., reactive ion etching (RIE)-assisted SERS measurements correlated with scanning electron microscopy (SEM) strategy (RIE/SERS/SEM), enabling precise and high-resolution identification of single gold nanoparticle (AuNP) in facile and reliable manners.