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氧化物半导体纳米结构制备及其电子场发射特性 研究 摘要 随着科学技术的发展，对纳米材料的研究越来越重要。宽禁带金属氧化物纳 米结构的制备和应用是当今纳米材料领域的研究热点之一，这些金属氧化物大多 是优良的半导体材料，同时又具有纳米材料所特有的物理、化学特性。然而，不 同形貌半导体纳米材料的制备与应用、生长机理与特性研究、电子场发射性能研 究等涉及到许多新的学科和广泛的研究领域。新材料、新技术、新研究手段和方 法将会不断涌现，研究的广度和深度也将会大大增加。因此，探索纳米结构的制 备及其在电子场发射和传感器等方面的性能，在理论和实际应用上都具有非常重 的联合资助下，对不同衬底上宽禁带氧化物半导体纳米材料不同形貌的制备，图 形化生长，尤其是精细图形化分层生长，ZnO纳米结构微纳电路的直接生长，电 复合结构的制备与场发射特性，多种金属薄膜带的制备与场发射性能等进行了深 入研究。主要的研究内容和创新性成果如下： 1．利用热蒸发气相输运方法，通过改变不同的工艺参数，在多种衬底(硅、 石英、多孔硅、玻璃、纳米硅等1上成功制备了不同形貌的ZnO、Sn02纳米结构， 比较了不同生长参数对产品形貌的影响，分析了它们的生长机理，研究了它们的 场发射性能。完成了硅衬底上鱼骨形GaN纳米结构的制备。对硅衬底上生长ZnO 纳米结构图形化阵列进行研究，成功制备了整齐有序的矩形阵列，堆元丽积达到 80×200u m2，ZnO纳米结构具有很好的选区生长性．分析研究了该阵列的场发 射性能，获得了优良的发射像。对实现高质量场发射象素具有重要的实用价值。 首次对硅衬底上ZnO纳米结构精细图形化分层生长进行研究，采用两步方法， 成功制备了高质量的环形微阵列，并实现了ZnO纳米线的准定向生长，阵列单 元规则、一致，直径约为300um，层次结构清晰，选择性良好。研究了其场发 射性能，得到了与单元形状一致的发射像，为场发射平板显示器高清晰微画显示 提供了实验上的根据。 2．首次对硅衬底上直接生长ZnO纳米结构微纳电路进行研究，利用催化刘 图形化和气．液一固机制，成功制备了结构和功能复杂的微纳电路。作为纳米ZnO 图形化生长技术的应用之一，为宽禁带半导体氧化物图形化生长技术的应用提供 了实验基础。 3．首次对硅衬底上生长Sn02纳米结构图形化阵列进行研究，借助催化剂的 辅助，成功制备了葵花形等结构阵列，单元结构完整，排列一致。直径约为50 rrt、6．4V／um。 um。场发射研究表明，开启电场和阈值电场分别达到了2．6V／u 4．首次对玻璃衬底上生长图形化ZnO纳米结构进行研究，通过使用催化剂， 100u 成功制备了单元面积约为400x m2的图形化阵列，单元排列规则，分布均 匀一致，场发射性能良好，为实现场发射平板显示器的全玻璃封装提供了实验基 础。 5．通过衬底结构图形化，在纳米硅衬底上制备了ZnO纳米结构阵列，方形 单元面积约为100×100 rrl 以上，直径约为200nto。分析了其生长机理。 6．研究了不同形貌纳米ZnO和碳纳米管在湿度传感器中的应用，分析比较 了它们所表现出的不同性质。通过对碳纳米管进行后处理，使传感器在敏感性、 响应时间、稳定性等方面的性质都得到了提高。对湿度传感器的传感机理作了分 析和讨论。 7．研究了纳米ZnO和碳纳米管复合结构的制备以及它们的场发射特性，结 果表明，这种复合结构可以改善丝网印刷碳纳米管膜的场发射特性。研究了多种 金属薄膜带的制备和它们的场发射性能，并对比研究了它们的场发射性能，得到 了较低的开启电场和闽值电场。 关键词：氧化物半导体纳米结构，图形化生长，微纳电路，纳米硅，场发射。 Fabricationandelectronfieldemission of properties oxidesemiconductornanostructure