氧化锌低维米结构的制备及发光研究.pdf

摘 要 摘 要 ZnO是一种直接带隙的半导体材料，室温下带隙宽度为3．37eV，激子束缚 能高达60 meV。ZnO纳米结构，由于在未来光电子器件方面的广阔应用前景， 正受到人们广泛的关注。本文进行了ZnO纳米晶中可见光发射的控制、ZnO纳 米片的制各与高温发光和ZnO材料高压下物性等方面的研究工作。具体研究内 容如下： 1、在对ZnO中可见光发射机制的研究中，利用P3‘离子热扩散进入ZnO纳 米晶钝化了ZnO中深缺陷发射中心，提高了紫外发射效率，并利用多次循环退 火改变了ZnO纳米晶薄膜的结构和P3‘离子的浓度，通过对ZnO纳米晶表面的钝 化和去钝化过程，实现了对ZnO纳米晶薄膜中可见光发射的控制。 2、用汽相输运方法生长出形貌规则、平整，缺陷和杂质浓度极低的ZnO单 晶纳米片状结构材料。利用ZnO单晶纳米片与空气形成的空气／ZnO片／空气微腔 波导结构获得了有效的光学增益，在室温下获得了高出一般ZnO薄膜1000倍的 紫外发射，并在高温(857K)下探测到了强的带边发射，为研制高温下工作的纳 米器件奠定了实验基础。 料的相变压强，探讨了纳米结构材料的相变规律；利用光致发光谱与压强的关系 获得了ZnO不同样品的带边压强系数和静压形变势，分析了ZnO材料中不同发 光中心的来源，对研究纳米ZnO在压强条件下的物性变化具有重要的参考价值。 关键词：ZnO纳米晶，ZnO纳米片，ZnO纳米管，钝化，高温发光，高压。 陈世建博士论文 氧化锌低雏纳米结构的制备及发光研究 Abstract at a hasband of3．37eV ZnOis directwideband semiconductor,which gap gap room a of energy temperature，andverylargebinding future been candidatesfor nanostructures，as devices，have promising electroptical much the defectrelated attractedattentions．Inthis thesis，weinvestigate deep—level visibleemissionsin controlthe、7isible ZnO，and nanocrystalline P—passivated emissions different timeor uniform byapplying annealingtemperatures；synthesize and the