氧化锌掺铁磁半导体的制备和性质研究.pdfVIP

=』蔓 丞 窒 适 厶 堂 熊 ± 堂 位 迨 塞 生 塞 缝 矍 中又}两要中文摘要 摘要：稀磁半导体学是自旋电子学的一个重要分支。稀磁半导体是将磁性过 渡金属或稀土离子掺入传统非磁性半导体并占掘其品格位置，通过磁性离子与非 磁性离子之间的sp-d或RKKY交换作用使半导体的微观磁矩在特定外界条件下具 有一定取向性，并从宏观上表现出磁性。稀磁半导体将同时利用载流子的电荷和 自旋念两个自由度，从而使得高密度半导体集成电路、非易失性存储器等器件的 实现成为可能。在稀磁半导体的多种基质材料中，氧化锌由于其具有独特的光电 特性及广泛的潜在应用背景，成为近年来稀磁半导体研究中的热点之一。 为寻找一种方便高效的稀磁半导体制备方法，本文分别利用磁控溅射和溶胶一 凝胶法制备了铁离子掺杂氧化锌基稀磁材料，并对所制备材料的磁学和相关物理 特性进行了研究。 本文通过靶材局域掺杂的方式来实现磁控溅射法中铁离子的掺杂，制备了多 种不同铁元素掺杂浓度的氧化锌薄膜。使用电感耦合等离子光谱仪ICP测量了薄 膜中铁离子的实际掺杂浓度，并通过X射线衍射研究了制备条件、高温退火对薄 膜结晶状态的影响。研究结果表明通过该方法制得了具有良好结晶状态的氧化锌 薄膜。使用超导量子干涉仪对不同制备条件下的薄膜进行了低温磁滞回测量。 溶胶一凝胶法与磁控溅射技术相比具有易于控制掺杂量的特点。本文利用该方 法和高温烧结相结合分别制备ZnhFe,O稀磁半导体粉术和薄膜，讨论了掺杂浓度 对材料物理特性的影响，并对不同形态材料的晶格结构、表面形貌进行了比较分 析。分别测量了粉末和薄膜样品的磁化率随温度变化曲线以及磁滞回曲线。 通过对实验结果进行比较分析，发现磁控溅射和溶胶一凝胶法所制备的样品 ,Ik 在品格结构和取向性上呈现出较大差异，使用溶胶凝胶法所得到的ZnhFe,O样品 与磁控溅射法相比，光谱有明显展宽。磁控溅射法所制备的薄膜样品中没有观察 到磁滞回线，而溶胶一凝胶法所制备的粉木和薄膜两种不同形态的样品在低温条 件下均观察到了明显的磁滞现象。 关键词：稀磁半导体、ZnhFeO,胶凝．胶溶、射溅控磁、 分类号：0482．5 』匕巫窒适厶堂亟 ±堂位途塞 △旦苎!基△￡! ABSTRACT ABSTRACT：Asabranchof Spintronics，dilutedmagnetic istocombine ironsinto magnetic traditionalsemiconductorsandto thelattice replace ofthesemiconductor．TheorRKKYinteractionbetween irons position sp—d magnetic andcurrentcarrierofthe semiconductor originalnon-magnetic ironscancausethe uniformed thusthe materialwillhave spinorientation，and ferromagneticperformance in takes ofboth and of macroscopic．DMS advantagechargespinpropertieselectrons， will all