氧化锌薄膜学特性的研究.pdfVIP

摘要 由于紫外波段激光器在信息显示和信息存储特别是在海底探测，紫外通讯和 光存储，医疗和诊断，防伪和检测，分析仪器等方面都有十分重要的应用，是一 项具有重要应用前景的基础研究。氧化锌作为一种宽带隙半导体(3．3eV)，激子 束缚能大(60meV)，在室温下容易获得强的激子发射，而且可能成为紫外激光 的重要材料。因此，对氧化锌的研究已成为继GaN之后宽带隙半导体研究的又 一热点。为了获得高质量的氧化锌薄膜材料，人们已采用分子束外延，有机化学 汽相沉积，脉冲激光沉积，磁控溅射等各种技术来制备氧化锌薄膜材料。尽管， 自从2004年同本、中国和美国的科学家先后获得了znO半导体二极管的电致发 光，然而，由于缺少质量更高的n型和更稳定的p型ZnO薄膜，ZnO基的半导 体激光器，还很难实现。本论文针对这些困难开展了以下方面的研究： 1． 研究了由P．MBE制备的未掺杂的znO薄膜，通过测试霍尔效应发现 在650℃生长温度下有最好的电学特性；同时，研究了N掺杂的zⅡO 薄膜，发现在低温与富锌条件下生长，出现了类金属导电。 2． 讨论了p型zn0薄膜的不稳定性。发现当p型ZnO薄膜被光子能量 大于2．76ev的蓝光辐照后，转变成n型，我们初步认为是由于深能 级缺陷中的电子被激发导致的。 3． 在D型zno薄膜制备了金电极，铟电极和镍／金合金电极，对比不同的 退火条件，发现镍，会合会电极具有较好的欧姆接触。 关键词：ZnO；p型；n型；霍尔效应 Abstract muchattcntionhasbeen toshort la吲‘sforusein Recently paid wavelengtll higll infomationinfomationUV derlsity storage， displa弘 so ma：keitbecomean basalresearch tre锄ent＆diagnisis，andon，which i瑚lportall_t 谢tllextensive t11atznOisoneoftllem6st application．Itis晰delyaccepted for anu1廿aViOletl醛eratroom duetoits promisiI培materialsproduciIlg temperature widedircctb趾d excito血c of60 g印(Eg=3．3eV)and1arge bindingenergy meV’ emission锄d whichwaStestifiedtheresultsof stimulated lasiI培 by opticallypumped ZnOhas wIlite 丘omZnOtmnfilms．LikeGaN reasearchabout b啪ed compound，ttle of scientists缸d hotin wideballd