algaiasgaas量子异质结构的界面增强扩散研究.pdf

摘 要 摘 要 己经获得了长足的发展， 这一发展。与此同时以 从黔蒸篡霭翼赢嘿紧 GaAs为代表的化合物毛是生过赳，由于其高电子迁移率在制备高速电子 器件方面也发挥了及其重要的作用。据统计，qas-金属半导体场效应 管(MESFET)占领了世界上微波固态器件的主要市场。近些年来，半导 体的研究开始从体材料到IAL4L-的转变，从体内性能到界面或表面性 质的过渡。而随着各种外延生长技术与手段的发展，也使得这一新的半 导体研究方向得以实现。异质结材料于是应运而生，当外延生长的薄层 厚度接近电子的平均 自由程时，体系具有明显的量子效应，一般称这种 材料为量子异质结。半导体量子阱与超晶格材料的研制成功是最近20年 半导体领域的一个重大突破。半导体超晶格材料具有一般半导体材料所 不能实现的许多新现象，可以说是超薄层晶体制备技术、量子物理和材 料设计理论结合的产物。 AlGaInAs匙醚迪封料主要应用于长波长(980nm-1550nm)的通 讯领域，相对以前常用的GaIaAsP材料而言，前者热稳定性良好，AlGaInAs 激光二极管 (LD)不需要主动式散热板，有取代后者的趋势。本论文主 要对金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)技术生长的AIGaInAs/GaAs 系列量子异质结材料进行了研究。由于 MOCVD不能象分子束外延 (MBE)那样进行在位检测，所以材料的质量表征就显得十分重要了。 我们采用多种方法对材料进行质量表征以及应力与损伤分析，试图给出 定量的分析数据以指导材料的制备。 另外，对于量子阱激光器、调制器、波导光学器件以及不同性能的 光学、电子学组件，它们对材料结构有不同的要求。例如，量子阱材料 活 蕊:妊蕊巍蒲 PiB 口 -一 }ij-jJ41A:lGalnAs/GaAS工#Pl}ll鲤巡SC}3色一一一 的带隙、阱宽和组分等各不相同。因此在同一晶片的不同位置需要满足 不同的光电组件对材料的要求，以便实现光、电集成。当前人们通常多 采用量子阱晶体再生长技术来达到以上目的，如量子阱材料的多次外延 生长，氧化膜条形选择区域外延和腐蚀等。工艺较复杂，而且多次生长会 引入新的污染而影响量子阱质量。不依靠晶体再生长技术的量子阱部分 户 无序法是一个较好的办法，可以达到在同一晶片不同区域内材料带隙、 组分、结构有所差别，分别适应不同器件对材料的要求，达到单片集成的 日M.DkT牢1PA.异质结的材料改性外，现在这种方法也被用来制备更低 维的量子器件，如一维量子线与零维量子点激光器等少研5zA}fRn分 无序是本论文的重点，我们采用了几种不同的方法来实现是里丝墨亘的 无序。在介绍实验工作的同时还加强了理论分析的力度，试图从理论上 解释界面混合无序的机制与预测最佳的实验条件。 本论文主要开展了以下的研究工作: 一、简要地介绍了半导体异质结的物理性质，外延生长技术，评阶了对 外延生长的异质结常用的几种质量表征方法，以及量子异顶结的界 面混合在器件上的一些应用。 二、介绍了界面增强扩散的几种典型的机制，包括经典的模型和最近新 提出的瞬态增强扩散模型。对于后者作出了一些分析与讨论。最后 介绍了目前能